CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 19:42, 8 dic 2012

Versione delle 19:00, 1 feb 2013

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Dimensionando opportunamente i due MOS (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una curva caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere il [[margine di immunità ai disturbi]] (''Noise Margin'') il più elevato possibile. Il tratto di caratteristica ad alto guadagno è indipendente dal rapporto tra i fattori di forma dei due Mos (''ratioless'').

gliGli elementi base per costruire qualsiasi circuito digitale sono:

* [[NAND]]: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in parallelo e pull-down da due n-Mos in serie

* [[Algebra di Boole#NOR|NOR]]: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in serie e pull-down da due n-Mos in parallelo