CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 10:27, 17 mar 2017

Versione delle 12:11, 19 lug 2017

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Il '''CMOS''', acronimo di '''complementary metal-oxide semiconductor''', è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]]. Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''.

La rete di Pull-Up è costituita di soli '''[[MOSFET|P-MOS]]''', ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) a effetto di campo a canale P che si "accendono" solo se la tensione presente al lorosul ''gate'' (misurata rispetto al loro ''source'') è minore della loro [[tensione di soglia]], che per questi particolari componenti equivale a metà tensione di alimentazione. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita di soli '''[[MOSFET|N-MOS]]''', ovvero MOSFET a canale N che si accendono solo se la tensione presente al lorosul ''gate'' (misurata rispetto al loro ''source'') è maggiore della loro tensione di soglia. Il circuito CMOS venne inventato da Frank Wanlass nel 1967.

Per comprendere come sia strutturata la tecnologia CMOS può risultare utile osservare una porta logica NOT realizzata con tecnologia CMOS. Si può notare come, nell'eventualità che il segnale d'ingresso sia a LL1, sia il solo N-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL0. Inversamente, con l'ingresso a LL0, è il solo P-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL1. Particolarità di questa porta logica è di avere lo swing logico pieno, cioè pari alla massima tensione applicata, Vcc; inoltre né la rete di pull-up né la rete di pull-down soffre di effetto body. La componentistica realizzata in questa tecnologia è caratterizzata da un consumo di corrente estremamente basso.