CMOS: differenze tra le versioni

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{{F|componenti per computer|arg2=elettronica|marzo 2013|Nessuna fonte}}

[[File:CMOS Inverter.svg|thumb|Circuito semplificato dell'[[invertitore]] a tecnologia CMOS]]

Il '''CMOS''', (acronimo di ''complementary metal-oxide semiconductor''), è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica digitale]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]].

== Descrizione ==
Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''. Tale topologia circuitale fu inventata da Frank Wanlass nel 1967.

La rete di Pull-Up è costituita da [[MOSFET|MOSFET a canale P]], che si "accendono" solo se la tensione presente sul ''gate'' (misurata rispetto al ''source'') è minore della [[tensione di soglia]]. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita da MOSFET a canale N che si accendono solo se la tensione presente sul ''gate'' (misurata rispetto al ''source'') è maggiore della tensione di soglia.

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{{Componenti elettronici}}

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[[Categoria:Terminologia dell'elettronica]]