Circuito integrato: differenze tra le versioni

Versione delle 18:58, 31 ago 2005

Versione delle 18:42, 1 set 2005

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==Fabbricazione di un circuito integrato==

[[Image:IcHipoteticDiagram.JPG|thumb|Disegno di un ipotetico circuito integrato]]

Il materiale di partenza è una fetta circolare di semiconduttore, detta '''substrato''': questo materiale, in genere già debolmente drogato, viene drogato ulteriormente per [[impiantazione ionica]] per creare le zone attive dei vari dispositivi; poi vengono depositati, cresciuti per [[epitassia]] oppure termicamente una serie di sottili strati di materiali diversi:

* Strati di semiconduttore policristallino;

* Strati isolanti sottili;

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* Strati metallici ([[alluminio]] o più raramente [[rame]]) per i collegamenti elettrici.

La geometria delle zone che devono ricevere il drogaggio e quella dei vari strati è impressa sul substrato con un processo di [[fotolitografia]]: ogni volta che il circuito integrato in lavorazione deve ricevere un nuovo strato o una nuova impiantazione di droganti, viene ricoperto di un sottile film fotosensibile, che viene impressionato attraverso un negativo fotografico (detto '''maschera''') ad altissima definizione. Le zone del film illuminate divengono solubili e vengono asportate dal lavaggio, lasciando scoperto il chip sottostante, pronto per la prossima fase di lavorazione, rimozione selettiva o drogaggio delle aree prive del film fotosensibile.

Una volta terminata la creazione dei chip sul substrato, questi vengono testati, il substrato viene tagliato e i chip incapsulati nei packages con cui verranno montati sui [[circuito stampato|circuiti stampati]].