Versione delle 15:30, 5 gen 2024 modifica Simone Biancolilla (discussione \| contributi) Utenti autoverificati 30 803 modifiche →Collegamenti esterni: Creato la sezione e aggiunto il template "Collegamenti esterni" Etichetta: Modifica visuale ← Differenza precedente		Versione delle 09:12, 23 gen 2024 modifica annulla Luchino W (discussione \| contributi) 2 modifiche m →Conduzione lineare Etichetta: Modifica visuale Differenza successiva →
Riga 93: === Conduzione lineare === [[Image:MOSFET functioning.svg\|thumb\|upright=1.8\|Caratterizzazione della regione di canale in funzione della regione di funzionamento. Quando il dispositivo lavora nella regione di saturazione il canale è strozzato in prossimità di D, e la corrente dipende solamente dalla V<sub>GS</sub>.]] Quando la tensione drain-source ~~supera~~diventa ~~anche~~inferiore laalla tensione <math>V_{GS} +- V_{th}</math> il canale raggiunge il drain: essendo possibile la conduzione il canale si comporta come una [[Resistenza elettrica\|resistenza]]<ref name=Schneider>{{Cita libro \| autore=C Galup-Montoro & Schneider MC \| titolo=MOSFET modeling for circuit analysis and design

MOSFET: differenze tra le versioni