Circuito integrato: differenze tra le versioni

Versione delle 12:10, 10 ott 2005

Versione delle 12:12, 10 ott 2005

Riga 25:

==Fabbricazione di un circuito integrato==

[[Image:IcHipoteticDiagram.JPG|thumb|Disegno di un ipotetico circuito integrato]]

Il materiale di partenza è una fetta circolare di semiconduttore, detta '''substrato''': questo materiale, in genere già debolmente drogato, viene drogato ulteriormente per [[impiantazione ionica]] o per [[diffusione termica]] per creare le zone attive dei vari dispositivi; poi vengono depositati, cresciuti per [[epitassia]] oppure termicamente una serie di sottili strati di materiali diversi:

* Strati di semiconduttore policristallino;

* Strati isolanti sottili;