MOSFET: differenze tra le versioni

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[[File:D2PAK.JPG|thumb|upright=1.0|Due MOSFET di potenza]]

IlIn '''MOSFET'''[[informatica]] (acronimo del termineed [[lingua inglese|ingleseelettronica]] il '''''m'''etal-MOSFET''' (o '''xideMOS-FET'''s oppure '''emiconductorMOS FET'''f, [[acronimo]] dell'[[Lingua inglese|inglese]] ''ieldMetal–Oxide–Semiconductor Field-'''e'''ffectEffect '''t'''ransistorTransistor'', ovvero '''{{Lett|transistore metallo-ossido-semiconduttore ad effetto di campo'''), scritto anche '''MOS-FET''' o '''MOS FET'''}} e spesso conosciuto come '''transistore MOS''', in elettronica) indicaè un tipo di [[transistor a effetto di campo]] largamente usato nel campo dell'[[elettronica digitale]], ma diffusa anche nell'[[elettronica analogica]]. È detto anche '''IGFET''' (''insulated-gate field-effect'', FET a gate isolato).<ref>{{Cita|Sedra-Smith, 2004|p. 356}}.</ref>

Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo è stato ideato da [[Julius Edgar Lilienfeld|Lilienfeld]] nel [[1925]], mentre il primo MOSFET fu realizzato da [[Dawon Kahng|Kahng]] e [[Martin Atalla|Atalla]] nel [[1959]] presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref>