Gate turn-off: differenze tra le versioni

Versione delle 15:01, 13 gen 2010

Versione delle 04:15, 6 feb 2010

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Diversamente dal [[IGCT]] o dall'[[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]], il GTO necessita di un circuito esterno per produrre le forme d'onda necessarie all'innesco o disinnesco e per prevenire la distruzione del dispositivo.

Durante l'innesco il dispositivo ha un rapporto dI/dt massimo che limita l'aumento della corrente. In questo modo l'intera massa del dispositovo può raggiungere l'innesco prima che sia raggiunta la corrente massima. Se questo rapporto viene superato, l'area del dispositivo più vicina ai contatti di gate si sovrariscalderàsurriscalderà e fonderà a causa della sovracorrente. Il rapporto dI/dt viene di solito controllato con l'utilizzo di un [[reattore saturabile]]. Il reset del reattore saturabile di solito comporta una richiesta di tempo di spegnimento minimo nei circuiti basati su GTO.

Durante lo spegnimento la tensione positiva del dispositivo deve essere limitata fino a che la corrente non si annulli. Il limiti è di solito intorno al 20% del tasso di tensione bloccante. Se la tensione aumenta troppo velocemente durante il disinnesco, non tutto il dispositivo si disattiverà e il GTO si danneggierà, spesso in maniera eslposiva, a causa dell'alta tensione e della corrente concentrata in una piccola porzione del dispositivo. Dei circuiti [[snubber]] vengono inseriti intorno al dispositivo per limitare l'aumento di tensione al disinnesco. Il reset dei circuiti snubber di solito comporta una richiesta di tempo di spegnimento minimo nei circuiti basati su GTO.