CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 12:41, 19 set 2006

Versione delle 12:57, 9 ott 2006

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NOTA: In verità c'è una piccola corrente di perdita, ma trascurabile se il numero dei MOS è relativamente piccolo.

Dimensionando opportunamente i due mos (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere il '''[[margine di immunità ai disturbi''']] ([[NM]]) il più elevato possibile.

Si può realizzare una qualsiasi funzione logica in tecnologia CMOS seguendo semplici regole:

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Or: PU(p-mos in serie), PD(n-mos in parallelo)

Ricordando che la funzione generata sarà negata.

==Potenza dinamica dissipada da un CMOS==