CMOS: differenze tra le versioni

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Dimensionando opportunamente i due MOS (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una curva caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere il [[margine di immunità ai disturbi]] (''Noise Margin'') il più elevato possibile. Il tratto di caratteristica ad alto guadagno è indipendente dal rapporto tra i fattori di forma dei due Mos (''ratioless'').

È noto che ogni funzione logica binaria può essere espressa in termini di [[NAND]] oppure in termini di [[Algebra di Boole#NOR|NOR]], che costituiscono quindi gli elementi base per costruire qualsiasi circuito digitale. La realizzazione in tecnologia CMOS della porta logica è rispettivamente:

* [[NAND]]: pull-up costituito da due p-Mos in parallelo e pull-down da due n-Mos in serie

* [[Algebra di Boole#NOR|NOR]]: pull-up costituito da due p-Mos in serie e pull-down da due n-Mos in parallelo

Questi costituiscono quindi gli elementi base per costruire qualsiasi circuito digitale.

* [[NOR]]: pull-up costituito da due p-Mos in serie e pull-down da due n-Mos in parallelo

== Potenza dinamica dissipata da un CMOS ==