CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 16:56, 17 giu 2012

Versione delle 21:44, 9 lug 2012

Riga 24:

* Potenza di cortocircuito

* Potenza associata alla carica/scarica del condensatore

:<math>\langle P \rangle = \frac {1}{T} \int P(t)\operatorname dt</math>

=== Potenza di cortocircuito ===

Riga 34:

:<math>P_d = V_{dd} * I_d \ </math>

Quindi calcoliamo la [[potenza attiva]]:

:<math>\langle P_d \rangle = \frac {1}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} P_d \operatorname dt + \int_{t_b}^{t_c} P_d \operatorname dt + \int_{t_d}^{t_e} P_d \operatorname dt + \int_{t_e}^{t_f} P_d \operatorname dt \right ] =</math>

:<math>= \frac {V_{dd}}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} I_{dn,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_b}^{t_c} I_{dp,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_d}^{t_e} I_{dp,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_e}^{t_f} I_{dn,sat}(t) \operatorname dt \right ]</math>

Facendo l'ipotesi di MOS complementari

Riga 48:

Si viene ad avere

:<math>\langle P_d \rangle= \frac {4 V_{dd}}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} \frac {\beta_n}{2} (V_{gsn}(t) - V_{tn})^2 \operatorname dt \right ]</math>

Possiamo conoscere gli estremi di integrazione tramite l'equazione