Gate turn-off: differenze tra le versioni

Versione delle 05:20, 26 feb 2013

Versione delle 23:35, 23 set 2016

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==Bias inverso (Reverse bias)==

I tiristori GTO sono disponibili con o senza la possibilità di bloccaggio in inversa. La capacità di bloccaggio in inversa si aggiunge alla caduta di tensione positiva per la necessità di avere una lunga regione P1 a basso [[drogaggio]].

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==Area operativa di sicurezza (Safe Operating Area - SOA)==

Diversamente dal [[IGCT]] ''(Integrated Gate Commutated Thyristor)'' o dall'[[IGBT]] ''(Insulated Gate Bipolar Transistor)'', il GTO necessita di un circuito esterno per gestire le rampe di corrente all'innesco e di tensione al disinnesco per prevenire la distruzione del dispositivo.

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*''[[Inverter]]'' di potenza.

*''[[Azionamento elettrico|Azionamenti]]'' di motori elettrici.

== Voci correlate ==

* [[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]]

==Bibliografia==

* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).

* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).

== Voci correlate ==

* [[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]]

== Altri progetti ==