「化学気相成長」の版間の差分

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[[ファイル:LEPECVD plasma.png|代替文=|サムネイル|267x267ピクセル|運転中のプラズマCVD（LEPECVD）装置内部の写真。 左側では[[アルゴン]]のみのプラズマが見られ、右側では[[ケイ素|シリコン]]膜を成長させるためにアルゴンに加えて[[シラン (化合物)|シラン]]が注入されている。]]

'''化学気相成長'''（かがくきそうせいちょう）、'''化学気相堆積'''（かがくきそうたいせき）または'''化学堆積'''（'''CVD''': chemical vapor deposition）法は、さまざまな物質の薄膜を形成する[[蒸着|堆積]]法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。[[切削工具]]の表面処理や[[半導体素子]]の製造工程において一般的に使用される。

== 特徴 ==

* 高[[真空]]を必要としないため、製膜速度や処理面積に比して装置規模が大きくなりにくいメリットがある。

* 製膜速度がMBE法に比較して速く、処理面積も大きくできる。このため大量生産に向く。

* [[PVD]]、[[分子線エピタキシー法|MBE]]などの真空[[蒸着]]と比較すると、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できる。

* 基板表面と供給する気相の化学種を選ぶことで、基板表面の特定の部位にだけ選択的に成長することが可能である。

== 分類 ==

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* [[熱CVD]] - 熱による分解反応や化学反応を利用する方式。

** [[触媒化学気相成長法|触媒化学気相堆積法]](Cat-CVD) - 高温のフィラメントを用いて原料ガスを分解させる方式。ホットワイヤー型CVD(HWCVD)とも呼ばれる<ref>{{Cite conference | first=R.E.I. | last=Schropp | coauthorsfirst2=B. |last2=Stannowski, |first3= A.M. |last3=Brockhoff, |first4= P.A.T.T. |last4=van Veenendaal and|first5= J.K. |last5=Rath | title=Hot wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for application in thin film transistors and solar cells | booktitlebook-title=Materials Physics and Mechanics | pages=73–82 | url=http://www.ipme.ru/e-journals/MPM/no_2100/schropp/schropp.pdf | format=PDF}}</ref>。

* 光CVD

* [[プラズマCVD]] - プラズマを用いて原料ガスの原子や分子を励起・反応させる方式。

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* [[合成ダイヤモンド]]

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{{薄膜}}

{{Normdaten}}

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{{デフォルトソート:かかくきそうせいちよう}}

[[Category:表面処理]]