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[[Categoria:Cestisti per club in Argentina|Obras Sanitarias]]
In [[fisica dello stato solido]] l''''effetto fotovoltaico''' è il fenomeno fisico che si realizza quando un [[elettrone]] presente nella [[banda di valenza]] di un materiale (generalmente [[semiconduttore]]) passa alla [[banda di conduzione]] a causa dell'assorbimento di un [[fotone]] sufficientemente energetico incidente sul materiale.
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== Aspetti teorici ==
L'effetto fotovoltaico, osservato per la prima volta da [[Alexandre Edmond Becquerel]] nel [[1839]], costituisce una delle prove indirette della natura corpuscolare delle [[onda elettromagnetica|onde elettromagnetiche]]. La teoria fisica che spiega l'[[effetto fotoelettrico]], del quale l'effetto fotovoltaico rappresenta una sottocategoria, fu pubblicata nel [[1905]] da [[Albert Einstein]] che per questo ricevette il [[Premio Nobel per la fisica]] nel [[1921]].<ref>[https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1921/index.html The Nobel Prize in Physics 1921]</ref> Quando una [[radiazione elettromagnetica]] investe un materiale può, in certe condizioni, cedere energia agli elettroni più esterni degli atomi del materiale. Se l'energia ceduta è sufficiente, l'elettrone risulta libero di allontanarsi dall'atomo di origine. L'assenza dell'elettrone nell'atomo di origine viene chiamata [[Lacuna (fisica)|lacuna]]. L'energia sufficiente per liberare l'elettrone dall'atomo di origine (per passare quindi dalla banda di valenza che corrisponde allo stato legato più esterno alla banda di conduzione ove non è più legato) deve essere almeno uguale (e quindi anche maggiore) alla [[banda proibita]] del materiale.
Nella [[fisica]] dei sistemi fotovoltaici viene definita la ''risposta spettrale'' assoluta RS(λ), il rapporto tra la misura della [[corrente elettrica]] generata dalla [[cella fotovoltaica]] (misurata in [[ampere|A]]) e la [[potenza (elettrotecnica)|potenza]] incidente (misurata in [[watt|W]]). Normalmente questa misura viene fornita in termini [[Rappresentazione spettrale dei segnali|spettrali]], cioè in funzione della [[lunghezza d'onda]] (λ) della luce incidente sulla cella fotovoltaica in maniera del tutto analoga al concetto di [[risposta in frequenza]].
== L'utilizzo nelle celle fotovoltaiche ==
{{vedi anche|Modulo fotovoltaico}}
Questo fenomeno è alla base della produzione elettrica nelle [[cella fotovoltaica|celle fotovoltaiche]]. Il meccanismo di funzionamento si basa sull'utilizzo di materiali [[Semiconduttore|semiconduttori]], il più utilizzato dei quali è attualmente il [[silicio]].
Infatti, nel caso di materiali [[isolante elettrico|isolanti]], il [[band gap]] risulta troppo elevato per poter essere eguagliato dall'energia del fotone incidente, mentre per i materiali [[conduttore elettrico|conduttori]] l'energia del band gap è piccolissima, quindi a temperatura ambiente c'è una continua creazione e distruzione di coppie elettrone-lacuna e l'energia necessaria alla creazione viene fornita direttamente dalle fluttuazioni termiche. Quando un flusso luminoso investe invece il reticolo cristallino di un [[semiconduttore]], si verifica la transizione in banda di conduzione di un certo numero di elettroni al quale corrisponde un egual numero di lacune che passa in banda di valenza. Si rendono pertanto disponibili [[Portatore di carica|portatori di carica]], che possono essere sfruttati per generare una corrente. Per realizzare ciò è necessario creare un campo elettrico interno alla cella, stabilendo un eccesso di atomi caricati negativamente ([[anione|anioni]]) in una parte del semiconduttore ed un eccesso di atomi caricati positivamente ([[catione|cationi]]) nell'altro. Questo meccanismo si ottiene mediante drogaggio del semiconduttore che generalmente viene realizzato inserendo atomi del terzo gruppo come ad esempio il [[boro]] e del quinto gruppo ([[fosforo]]) per ottenere rispettivamente una struttura di tipo p (con un eccesso di lacune) ed una di tipo n (con un eccesso di elettroni).
[[File:Giunzione p-n sommario.png|thumb|upright=2.3|Schematizzazione della giunzione p-n in un diodo]]
Lo strato drogato con elementi del quinto gruppo, che hanno cinque elettroni esterni (o di valenza) contro i tre di quelli del terzo gruppo, presenta una carica negativa debolmente legata, costituita da un elettrone in eccesso per ogni atomo drogante. Nello stesso modo, nello strato drogato con elementi del terzo gruppo, che hanno invece tre elettroni esterni, si ottiene un eccesso di carica positiva, data dalle lacune degli atomi droganti. Il primo strato, a carica negativa, viene generalmente chiamato strato n, l'altro, a carica positiva, strato p, la zona di separazione è detta [[giunzione p-n]].
Va sottolineato che il materiale risulta essere globalmente neutro, dato che il drogaggio viene realizzato con atomi neutri (non ioni), quello che cambia è l'eccesso di elettroni nei legami covalenti, da una parte, e il difetto degli stessi dall'altra. Mettendo a contatto i due materiali così ottenuti, si viene a verificare un flusso di diffusione di elettroni dalla zona n alla zona p e di lacune in direzione opposta, fino al raggiungimento dell'equilibrio elettrostatico, che determina un eccesso di carica positiva nella zona n, un eccesso di elettroni nella zona p e una regione intermedia detta [[regione di svuotamento]] (in inglese ''depletion region''). Il risultato è un campo elettrico interno al dispositivo ([[Regione di carica spaziale#Tensione di built-in|tensione di ''built-in'']]) che si estende a cavallo della regione di svuotamento, generalmente spessa pochi micrometri.
A questo punto, se viene illuminata con fotoni la giunzione dalla parte n, vengono a crearsi delle coppie elettrone-lacuna sia nella zona n che nella zona p. Il campo elettrico di built-in permette di dividere gli elettroni in eccesso (ottenuti dall'assorbimento dei fotoni da parte del materiale) dalle lacune, e li spinge in direzioni opposte gli uni rispetto agli altri. Gli elettroni, una volta oltrepassata la zona di svuotamento non possono quindi più tornare indietro, perché il campo impedisce loro di invertire la marcia. Connettendo la giunzione con un conduttore esterno, si otterrà un circuito chiuso nel quale il flusso di elettroni parte dallo strato n, a potenziale maggiore, verso lo strato p, a potenziale minore sintanto che la cella resta esposta alla luce.
==Note==
<references/>
== Voci correlate ==
* [[Impianto fotovoltaico]]
* [[Fotovoltaico flottante]]
* [[Modulo fotovoltaico]]
* [[Energia solare]]
* [[Energia rinnovabile]]
* [[Conto energia]]
* [[Risposta spettrale]]
== Collegamenti esterni ==
* {{cita web|http://etd.adm.unipi.it/theses/available/etd-07022003-105514/unrestricted/I-2.1.Storia_del_fotovoltaico.pdf|Storia del fotovoltaico}}
{{Controllo di autorità}}
{{portale|Fisica}}
[[Categoria:Semiconduttori]]
[[Categoria:fotovoltaico]]
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