Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni
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:<math>I_2 = h_f I_1 + h_o V_2</math>
e
:<math>V_2 = I_L Z_L = - I_2 Z_L</math>
dunque:
:<math>A_I = - \frac{h_f I_1 + h_o V_2}{I_1} = - h_f - h_o \frac{I_L Z_L}{I_1} = - h_f - h_o A_I Z_L</math>
da cui:
:<math> (1 + h_o Z_L) A_I = - h_f</math>
quindi in definitiva:
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*'''Impedenza di ingresso'''
:<math>Z_i = \frac{V_1}{I_1} = \frac{h_i I_1 + h_r V_2}{I_1} = h_i + h_r \frac{V_2}{I_1}</math>
ma secondo quanto detto circa l'amplificazione di corrente:
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quindi in definitiva:
:<math>Z_i = h_i + h_r \frac{A_I I_1 Z_L}{I_1} = h_i
da cui, esplicitando l'espressione di <math>A_I</math> e dividendo numeratore e denominatore per <math>Z_L</math>, si ha anche:
:<math>Z_i = h_i - \frac{h_f h_r}{Y_L + h_o}</math>
dove <math>Y_L = 1 / Z_L</math> è l'[[ammettenza]] di carico, dalla quale dipende l'impedenza di uscita.
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Per la definizione dell'impedenza di uscita bisogna porre a zero la <math>V_s</math> e <math>Z_L = \infty</math>:
:<math>Y_o = \frac{I_2}{V_2} = \frac{h_f I_1 + h_o V_2}{V_2} = h_f \frac{I_1}{V_2} + h_o</math>
ma vale anche:
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