Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 14:29, 12 dic 2007

Versione attuale delle 13:50, 1 mar 2023

(17 versioni intermedie di 12 utenti non mostrate)

Riga 1:

Per un [[transistor a giunzione bipolare]] si può usare il '''modello a parametri ibridi''' qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

== Modello ibrido ==

Riga 5:

[[Immagine:Modello a due porte.PNG|right|Modello a due porte generale.]]

In generale il '''modello ibrido''' è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un [[Quadrupolo|doppio bipolo]]. Si hanno quindi quattro variabili, due [[Corrente elettrica|correnti]] <math>i_1, i_2</math> e due [[Tensione elettrica|tensioni]] <math>v_1, v_2</math>, che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:

:<math>\begin{cases}v_1 = h_{11} i_1 + h_{12} v_2 \\

Riga 11:

</math>

cioè come variabili indipendenti vengono scelti <math>i_1, v_2</math>, ma possono scegliersi altre variabili. I parametri ''h'' sono appunto detti '''parametri ibridi''' perché mettonohanno in[[Analisi relazione grandezzedimensionale|dimensioni]] diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:

:<math>h_{11} = \left. \frac{v_1}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>

Riga 27:

:<math>h_{22} = \left. \frac{i_2}{v_2} \right|_{i_1=0}</math>

è la [[conduttanza]] di uscita con ingresso a vuoto. La notazione più utilizzata è quella IEEE: (11 = ''i'', ingresso), (22 = ''o'', uscita), (12=''r'', trasferimento inverso), (21=''f'', trasferimento diretto) come evidenziato nel circuito equivalente generale indipendentemente dalla configurazione.

è la [[conduttanza]] di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in [[Siemens]].

La notazione più utilizzata è quella IEEE: (11 = ''i'', ingresso), (22 = ''o'', uscita), (12=''r'', trasferimento inverso), (21=''f'', trasferimento diretto) come evidenziato nel circuito equivalente generale indipendentemente dalla configurazione.

[[Immagine:Circuito equivalente generale.PNG|centre|Modello ibrido generale del transistor. In questa configurazione il transistor è un amplificatore.]]

Riga 37 ⟶ 35:

=== Transistor come amplificatore ===

*'''Amplificazione di corrente'''

:<math>A_I = \frac{I_L}{I_1} = - \frac{I_2}{I_1}</math>

Riga 45 ⟶ 43:

:<math>I_2 = h_f I_1 + h_o V_2</math>

e

dove

:<math>V_2 = I_L Z_L = - I_2 Z_L</math>

dunque:

:<math>A_I = - \frac{h_f I_1 + h_o V_2}{I_1} = - h_f - h_o \frac{I_L Z_L}{I_1} = - h_f - h_o A_I Z_L</math>

da cui:

:<math>V_2 =(1 -+ I_2h_o Z_L) A_I = - h_f</math>

quindi in definitiva:

Riga 57 ⟶ 63:

:<math>A_{I_s} = A_I \frac{I_1}{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>

*'''Impedenza di ingresso'''

:<math>Z_i = \frac{V_1}{I_1} = \frac{h_i I_1 + h_r V_2}{I_1} = h_i + h_r \frac{V_2}{I_1}</math>

ma secondo quanto detto circa l'amplificazione di corrente:

Riga 67 ⟶ 73:

quindi in definitiva:

:<math>Z_i = h_i + h_r \frac{A_I I_1 Z_L}{I_1} = h_i - \frac{h_f+ h_r}{Y_L +A_I h_o}Z_L</math>

da cui, esplicitando l'espressione di <math>A_I</math> e dividendo numeratore e denominatore per <math>Z_L</math>, si ha anche:

:<math>Z_i = h_i - \frac{h_f h_r}{Y_L + h_o}</math>

dove <math>Y_L = 1 / Z_L</math> è l'[[ammettenza]] di carico, dalla quale dipende l'impedenza di uscita.

*'''Amplificazione di tensione'''

:<math>A_V = \frac{V_2}{V_1} = \frac{A_I I_1 Z_L}{V_1} = \frac{A_I Z_L}{Z_i}</math>

Riga 77 ⟶ 87:

cioè l'amplificazione di tensione dipende dall'impedenza di ingresso e da quella di uscita. Tenendo conto della resistenza del generatore abbiamo:

: <math>A_{V_s} = A_V \frac{V_1}{V_s} = A_V \frac{Z_L}{Z_i + R_s}</math>

*'''Ammettenza di uscita'''

Per la definizione dell'impedenza di uscita bisogna porre a zero la <math>V_s</math> e <math>Z_L = \infty</math>:

:<math>Y_o = \frac{I_2}{V_2} = \frac{h_f I_1 + h_o V_2}{V_2} = h_f \frac{I_1}{V_2} + h_o</math>

ma vale anche:

Riga 98 ⟶ 108:

[[Immagine:Modello ibrido BJT_EC.PNG|right|Modello ibrido del transistor a emettitore comune.]]

Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione tripolare in configurazione a emettitore comune. Come si vede nella figura le tensioni e le correnti <math>v_{CE},v_{BE}, i_B, i_C</math> con pedice maiuscolo indicano i valori istantanei delle grandezze; i valori <math>V_{BB}, V_{CC}</math> sono i valori massimi o i valori medi delle grandezze, <math>v_c, i_b, h_{oe}, ...</math> sono invece sono i valori istantanei delle grandezze e sono usati nel modello ibrido con l'aggiunta del pedice ''e'' nei parametri ibridi per identificare la configurazione ad emettitore comune. Il circuito equivalente del modello ibrido del transistor ad emettitore comune è rappresentato nella figura successiva. In base a quanto detto in maniera generale sul modello ibrido possiamo esprimere le variabili dipendenti e indipendenti in maniera arbitraria, ma scegliamo (secondo convenzione) di usare:

:<math>\begin{cases}v_B = f_1 (i_B, v_C) = h_{ie} i_b + h_{re} v_c \\

Riga 109 ⟶ 119:

Vediamo a cosa equivalgono i parametri ibridi:

*'''Amplificazione di corrente'''

:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L}</math>

Riga 117 ⟶ 127:

:<math>A_{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>

*'''Resistenza di ingresso'''

:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L </math>

*'''Amplificazione di tensione'''

:<math>A_V = A_I \frac{R_L}{R_i} = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>

*'''Conduttanza di uscita'''

Per la definizione della resistenza di uscita (tramite la conduttanza) poniamo <math>V_s =0</math> e <math>R_L = \infty</math>:

Riga 138 ⟶ 148:

In generale possiamo semplificare il modello ibrido tenendo conto solo di due parametri ibridi: <math>h_{ie}, h_{fe}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è che per i circuiti a bassa frequenza la resistenza di carico sia abbastanza piccola da soddisfare la:

: <math>h_{oe} R_L < 0.1</math>

Se vale questa condizione allora: l''''amplificazione di corrente''' diventa

:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L} \simeq -h_{fe}</math>

La '''resistenza d'ingresso''' diventa:

:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L \simeq h_{ie}</math>

L''''amplificazione di tensione''' resta inalterata nella forma:

:<math>A_V = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>

mentre l''''impedenza di uscita''' si può porre infinita perché <math>h_{oe}</math> è abbastanza grande (<math>\sim 10^4 - 10^5 \Omega</math>).

== Modello ibrido del transistor a collettore comune ==

[[Immagine:Modello ibrido BJT_CC.PNG|right|300px|Modello ibrido del transistor a collettore comune.]]

[[Immagine:Modello ibrido semplificato BJT CC.PNG|right|300px|Modello ibrido semplificato di un transistor a giunzione a collettore comune.]]

Poiché il transistor a collettore comune ha pochi utilizzi, scriviamo solo i parametri per il modello ibrido tenendo conto solo di due quantità: <math>h_{ic}, h_{fc}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è sempre la stessa:

Riga 164 ⟶ 174:

:<math>h_{oe} R_L < 0.1</math>

Se vale questa condizione allora: l''''amplificazione di corrente''' diventa

:<math>A_I = -\frac{I_e}{I_b} = 1 + h_{fe}</math>

La '''resistenza d'ingresso''' diventa:

:<math>R_i = \frac{V_b}{I_b} = h_{ie} + (1 + h_{fe}) R_L</math>

L''''amplificazione di tensione''':

:<math>A_V = \frac{V_e}{V_b} = 1 + \frac{h_{ie}}{R_i} \simeq 1</math>

mentre la '''resistenza di uscita''':

:<math>R_o = \frac{h_{ie} + R_s}{1 + h_{fe}}</math>

Riga 193 ⟶ 203:

:<math>R_o = \frac{V_c}{I_c} = \frac{I_c \cdot R_c}{I_c} = R_c</math>

== Tabella di conversione ==

== Voci correlate ==

* [[Transistor a giunzione bipolare]]

* [[Transistor]]

* [[Polarizzazione del transistor]]

* [[Dispositivi a semiconduttore]]

* [[Giunzione p-n]]

* [[Effetto Early]]

{{Transistor}}

{{Portale|Elettronica}}

[[Categoria:Transistor]]