Hot carriers injection: differenze tra le versioni
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{{F|memorie informatiche|arg2=elettronica|marzo 2013}}
In [[elettronica]], '''hot carriers injection''', spesso abbreviato con l'acronimo '''HCI''', è il fenomeno tramite il quale nei dispositivi elettronici a [[semiconduttore]] o a stato solido gli [[elettroni]] e le [[lacuna (fisica)|lacune]] acquistano sufficiente [[energia cinetica]] per
== HCI nei dispositivi a semiconduttore ==
{{vedi anche|MOSFET}}
La tecnica HCI è solitamente riferita ai [[transistor]] MOSFET, dove i portatori di carica sono iniettati dal canale del MOS in [[silicio]] al terminale di ''gate'', attraversando il [[silice|biossido di silicio]] SiO<sub>2</sub>.
Per entrare nella [[banda di conduzione]] del biossido di silicio l'elettrone deve avere un'energia cinetica pari a 3.3 [[elettronvolt|eV]], una lacuna 4.6 eV.
Durante l'attraversamento del canale l'energia posseduta dai portatori di carica è persa attraverso la collisione con gli atomi, generando portatori "freddi" e coppie elettrone-lacuna. Può succedere anche che il portatore di carica rompa il legame Si-H, rilasciando un atomo di [[idrogeno]] nel substrato. Questi eventi modificano la [[tensione di soglia]] del dispositivo, producendo una corrente minore e un degrado del [[circuito integrato]].
=== HCI nelle memorie flash ===
{{vedi anche|Memoria flash}}
La tecnica HCI è utilizzata nella fase di programmazione delle memorie ''NOR flash'', costituite da [[transistor]] [[MOSFET]] detti [[Floating Gate MOSFET]], caratterizzati dall'avere due terminali di ''gate'' anziché uno soltanto. Uno è il solito CG (''Control Gate'') mentre l'altro viene chiamato ''Floating Gate'' (FG), che risulta essere completamente isolato da uno strato di [[ossido]]. Il floating gate si trova tra il CG e il substrato. Le ''NOR flash'' vengono programmate attraverso l'hot-electron injection: viene applicata una tensione sul CG, la quale avvia un flusso di elettroni che, percorrendo il canale creatosi dall'accensione del transistor, passano dal ''source'' al ''drain''. Gli elettroni con energia più elevata attraversano lo strato di ossido che separa il canale dal FG e venendone intrappolati
{{portale|fisica}}
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