Hot carriers injection: differenze tra le versioni
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{{F|memorie informatiche|arg2=elettronica|marzo 2013}}
In [[elettronica]], '''hot carriers injection''', spesso abbreviato con l'acronimo '''HCI''', è il fenomeno tramite il quale nei dispositivi elettronici a [[semiconduttore]] o a stato solido gli [[elettroni]] e le [[lacuna (fisica)|lacune]] acquistano sufficiente [[energia cinetica]] per oltrepassare la [[barriera di potenziale]] che si instaura nell'interfaccia tra due materiali.
== HCI nei dispositivi a semiconduttore ==
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La tecnica HCI è solitamente riferita ai [[transistor]] MOSFET, dove i portatori di carica sono iniettati dal canale del MOS in [[silicio]] al terminale di ''gate'', attraversando il [[silice|biossido di silicio]] SiO<sub>2</sub>.
Per entrare nella [[banda di conduzione]] del biossido di silicio l'elettrone deve avere un'energia cinetica pari a 3.3 [[elettronvolt|eV]], una lacuna 4.6 eV.
Durante l'attraversamento del canale l'energia posseduta dai portatori di carica è persa attraverso la collisione con gli atomi, generando portatori "freddi" e coppie elettrone-lacuna. Può succedere anche che il portatore di carica rompa il legame Si-H, rilasciando un atomo di [[idrogeno]] nel substrato. Questi eventi modificano la [[tensione di soglia]] del dispositivo, producendo una corrente minore e un degrado del [[circuito integrato]].
=== HCI nelle memorie flash ===
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