Gate turn-off: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
m ortografia
Etichette: Modifica da mobile Modifica da web per mobile
 
(19 versioni intermedie di 16 utenti non mostrate)
Riga 1:
Il '''''Gate Turngate Offturn-off''''' ('''GTO''') è un [[Tiristore|diodo controllato (o tiristore)]] che può essere innescato e disinnescato, cioè permettere o bloccare il passaggio della corrente, agendo sull'[[elettrodo]] di ''gate''. Supera quindi la limitazione intrinseca dell'[[Tiristore|SCR]] (tiristore) in cui il flusso di corrente, una volta innescato, può essere interrotto solo da cause esterne (annullamento spontaneo o forzato della corrente).
 
==Descrizione==
[[File:Tiristor GTO.jpg|frame|Simbolo GTO]]
I normali [[Tiristore|tiristori]], noti anche come diodi controllati o SCR (''Siliconsilicon Controlledcontrolled Rectifierrectifier'') non sono dispositivi completamente controllabili (un dispositivo completamente controllabile può essere acceso e spento a comando). I tiristori possono essere mandati in conduzione (stato ON, ossia "accesi") applicando un'opportuna tensione ad un elettrodo di controllo detto [[''gate]]'', ma non possono essere mandati in interdizione (stato OFF, ossia "spenti") per mezzo dello stesso elettrodo. I tiristori vengono cioè accesi da un segnale di gate e restano nello stato ON anche dopo che il segnale di gate è stato rimosso. Per ritornare nello stato OFF è necessario che la corrente che li attraversa si annulli (in pratica che la corrente scenda al di sotto di un certo valore limite conosciuto come corrente di mantenimento ''(holding)''). Negli impieghi in corrente alternata, come ad esempio nei ponti raddrizzatori totalmente o semi-controllati, la condizione deidi spegnimento si raggiunge in "modo naturale" quando la [[corrente elettrica|corrente]] che attraversa il diodo passa per lo zero al termine di una semi-onda. Negli impieghi in corrente continua è invece necessario forzare in "modo artificiale" l'annullamento della corrente con l'applicazione di una [[Tensione elettrica|tensione]] inversa ai terminali del diodo. <br />
Quindi un tiristore, dopo essere stato attivato, si comporta come un normale [[diodo]] a semiconduttore.
 
Diversamente dall'SCR, il GTO può essere '''acceso''' (''turn on'' o ''innesco'') e '''spento''' (''turn off'' o ''disinnesco'') portando rispettivamente un segnale positivo o negativo all'elettrodo di gate.
 
Il '''turn on''' (innesco) è attivato da un impulso di corrente positiva tra i terminali di ''gate'' e di catodo. Quando il ''gate''-catodo si comporta come una [[giunzione p-n]], c'è una tensione relativamente bassa tra i due terminali. L'attivazione di un GTO non è comunque affidabile come in un [[SCR]] ([[tiristore]]) e una piccola tensione di ''gate'' positiva deve essere mantenuta anche dopo l'innesco per migliorarne l'affidabilità.
 
Il '''turn off''' (disinnesco) è attivato da un impulso di tensione negativa tra i terminali di ''gate'' e catodo. Parte della corrente positiva (all'incirca da un terzo a un quinto) che viene sottratta è utilizzata per indurre una tensione tra il ''gate'' e il catodo che a sua volta provoca una diminuzione della corrente positiva e il GTO si disattiverà (effettuando la transizione dallo stato di conduzione a quello di interdizione).
 
I GTO sono soggetti a lunghi tempi di disinnesco a causa del fatto che, dopo il crollo della corrente, c'è un lungo intervallo di tempo in cui una corrente residua continua a fluire fino a che tutta la carica rimanente è eliminata dal dispositivo. Ciò limita la massima [[frequenza]] di lavoro a circa {{M|1|k|Hzul=kHz}}. Bisogna comunque notare che il tempo di disinnesco di un SCR comparabile è dieci volte quello di un GTO. Quindi la frequenza di lavoro di un GTO è comunque superiore a quella di un SCR di pari caratteristiche.
{| class="wikitable"
|-
Riga 41:
 
==Bias inverso (Reverse bias)==
 
I tiristori GTO sono disponibili con o senza la possibilità di bloccaggio in inversa. La capacità di bloccaggio in inversa si aggiunge alla caduta di tensione positiva per la necessità di avere una lunga regione P1 a basso [[drogaggio]].
 
I tiristori GTO con tensione di bloccaggio inversa sono conosciuti come tiristritiristori GTO simmetrici, in breve S-GTO. Di solito, il livello della tensione di bloccaggio inversa e di quella positiva sono gli stessi. L'applicazione tipica di un tiristore GTO simmetrico è negli [[inverter|invertitoreinvertitori]] dei generatori di corrente.
 
I tiristori GTO non dotati di tensione inversa di bloccaggio sono conosciuti come tiristori GTO asimmetrici, in breve A-GTO. Tipicamente hanno un livello di breackdownbreakdown inverso nella decina di volt. I tiristori A-GTO sono usati o dove un diodo conducente inverso è applicato in parallelo (per esempio negli invertitori delle sorgenti di tensione) o dove una tensione inversa non si dovrebbe mai verificare (per esempio negli alimentatori switching o nei circuiti DC [[Chopper (elettronica)|choppers]] per trazione).
 
I tiristori GTO asimmetrici possono essere fabbricati con un diodo conducente in inversa nello stesso modulo. Questi sono conosciuti come RCGTO, che sta per "reverse conducting GTO".
 
==Area operativa di sicurezza (Safe Operating Area - SOA)==
 
Diversamente dal [[IGCT]] ''(Integrated Gate Commutated Thyristor)'' o dall'[[IGBT]] ''(Insulated Gate Bipolar Transistor)'', il GTO necessita di un circuito esterno per gestire le rampe di corrente all'innesco e di tensione al disinnesco per prevenire la distruzione del dispositivo.
 
Riga 67 ⟶ 65:
==Applicazioni==
Il GTO trova applicazione nei seguenti campi:
*''[[Chopper (elettrotecnica)|Chopper]]'' di potenza.
*''[[Inverter]]'' di potenza.
*''[[Azionamento elettrico|Azionamenti]]'' di motori elettrici.
 
==Bibliografia==
* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).
* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).
 
== Voci correlate ==
* [[IGCT]]
* [[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]]
* [[Frazionatore elettronico]]
 
==Bibiliografia==
* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).
* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).
 
== Altri progetti ==
{{interprogetto|commons=Category:Gate turn-off thyristors}}
 
[[Categoria:Dispositivi a semiconduttore]]
[[Categoria:Elettronica di potenza]]
 
[[ca:Tiristor GTO]]
[[cs:GTO tyristor]]
[[de:GTO-Thyristor]]
[[en:Gate turn-off thyristor]]
[[es:Tiristor GTO]]
[[et:Paisu kaudu suletav türistor]]
[[fr:Thyristor GTO]]
[[ja:ゲートターンオフサイリスタ]]
[[ko:게이트 턴 오프 사이리스터]]
[[nl:Gate turn-off thyristor]]
[[zh:可關斷晶閘管]]