Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni

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Nei FGMOS a canale ''n'' l'iniezione di carica può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]], come nel caso delle memoria Flash, o per [[effetto tunnel]], come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale ''p'' si usa il fenomeno di [[breakdown a valanga]], utilizzato nella programmazione delle EPROM.

== Storia ==

[[ImageFile:Floating gate transistor.png|thumb|Sezione di un transistor MOSFET]]

Il primo progetto di un Floating Gate MOSFET fu presentato da Kahng and Sze,<ref>D. Kahng and S.M. Sze, "A floating-gate and its application to memory devices," The Bell System Technical Journal, vol. 46, no. 4, 1967, pp. 1288-1295</ref> nel 1967. La prima applicazione di un FGMOS fu l'utilizzo come memoria in dispositivi EEPROM, EPROM e flash.

Il primo progetto di un Floating Gate MOSFET fu presentato da [[Dawon Kahng|Kahng]] ande [[Simon Sze|Sze]],<ref>D. Kahng and S.M. Sze, "A floating-gate and its application to memory devices," The Bell System Technical Journal, vol. 46, no. 4, 1967, pp. 1288-1295</ref> nel 1967. La prima applicazione di un FGMOS fu l'utilizzo come memoria in dispositivi EEPROMEPROM, EPROMseguiti dalle [[EEPROM]] e molti anni dopo dalle [[Memoria flash|flash]].

Nel 1989 la [[Intel]] sviluppò il primo FGMOS come elemento di memoria analogica non volatile nel chip ETANN,<ref>M. Holler, S. Tam, H. Castro, and R. Benson, "An electrically trainable artificial neural network with 10240 'floating gate' synapses," Proceeding of the International Joint Conference on Neural Networks, Washington, D.C., vol. II, 1989, pp. 191-196</ref> dimostrandone il potenziale anche al di fuori dell'ambito delle memorie digitali.

I risultati di tre ricerche in particolare fondarono le basi per il successivo sviluppo del FGMOS:

# L'utilizzo dell'iniezione per effetto tunnel nella tecnologia CMOS di Thomsen e Brooke<ref>A. Thomsen and M.A. Brooke, "A floating gate MOSFET with tunneling injector fabricated using a standard double-polysilicon CMOS process," IEEE Electron Device Letters, vol. 12, 1991, pp. 111-113</ref> permise a molti ricercatori di studiare circuiti che utilizzano FGMOS senza ricorrere a processi di fabbricazione complessi.

# Il circuito ''ν''MOS, o neuron-MOS, sviluppato da Shibata and Ohmi<ref>T. Shibata and T. Ohmi, "A functional MOS transistor featuring gate-level weighted sum and threshold operations," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, no. 6, 1992, pp. 1444-1455</ref> mostrò l'efficienza dell'uso dei raggi UV sui FGMOS.

# La retina adattiva di Carver Mead<ref>C.A. Mead and M. Ismail, editors, Analog VLSI Implementation of Neural Systems, Kluwer Academic Publishers, Norwell, MA, 1989</ref> fornì un primo esempio dell'uso di programmazione/cancellazione ripetuta tramite raggi UV nella tecnologia dei circuiti adattivi.

[[Image:Floating gate transistor.png|thumb|Sezione di un transistor MOSFET]]

== Struttura ==

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== Voci correlate ==

* [[MOSFET]]

* [[Transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore]]

* [[MESFET]]

* [[CMOS]]

* [[Logica NMOS]]

* [[Logica PMOS]]

* [[Transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore]]

==Collegamenti esterni==

*{{cita web |1=http://etd.gatech.edu/theses/available/etd-08062006-001021/unrestricted/ozalevli_erhan_200612_phd.pdf |2=EXPLOITING FLOATING-GATE TRANSISTOR PROPERTIES IN ANALOG AND MIXED-SIGNAL CIRCUIT DESIGN |accesso=8 novembre 2010 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20110105165103/http://etd.gatech.edu/theses/available/etd-08062006-001021/unrestricted/ozalevli_erhan_200612_phd.pdf |dataarchivio=5 gennaio 2011 |urlmorto=sì }}

*{{cita web|http://computer.howstuffworks.com/rom4.htm|Howstuffworks "How ROM Works"}}

*{{cita web|httphttps://www.cs.washington.edu/homes/diorio/Publications/CoAuthConfPapers/PaulHasler/Floatgate_dev.pdf|Floating Gate Devices}}

*{{cita web|httphttps://www.amazon.com/dp/3639134109|FLOATING-GATE TRANSISTORS IN ANALOG AND MIXED-SIGNAL CIRCUIT DESIGN}}

*{{cita web|httphttps://www.amazon.com/dp/3836441772|Tunable and reconfigurable circuits using floating-gate transistors}}

{{Portale|elettronica}}

[[Categoria:Transistor ad effetto di campo]]