BiCMOS: differenze tra le versioni

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{{F|componenti per computer|arg2=elettronica|marzo 2013|Nessuna fonte}}

La '''tecnologia BiCMOS''' è una tecnologia per la produzione di componenti elettronici integrati.

In [[elettronica]] un '''BiCMOS''' ([[acronimo]] dell'[[Lingua inglese|inglese]] ''Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor'', {{Lett|metallo-ossido-semiconduttore complementare bipolare}}) è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica digitale]] per la produzione di componenti elettronici integrati.

L'[[acronimo]] sta per ''Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor'' ed indica la tecnologia mista che integra [[CMOS]] e [[transistor a giunzione bipolare|BJT]] sullo stesso chip semiconduttore. Il vantaggio di questo procedimento è il fatto che si avvalora dei vantaggi dei dispositivi realizzabili nelle due diverse tecnologie.

L'[[acronimo]] sta per ''Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor'' ed indica la tecnologia mista che integra [[CMOS]] e [[transistorTransistor a giunzione bipolare|BJT]] sullo stesso chip semiconduttore. Il vantaggio di questo procedimento è il fatto che si avvalora dei vantaggi dei dispositivi realizzabili nelle due diverse tecnologie.<ref>{{Cita web|url=https://it.jf-parede.pt/bicmos-technology-fabrication|titolo=Tecnologia BiCMOS: fabbricazione e applicazioni|accesso=4 aprile 2022}}</ref>

== Storia ==

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Mentre i progettisti di [[circuito discreto|circuiti discreti]] possono da tempo disporre dei vantaggi derivanti dall'uso combinato di MOSFET e BJT, nel campo dell'[[Circuito integrato|elettronica integrata]] è stato possibile introdurre la logica BiCMOS solo alla fine degli anni '80.

Per fare ciò è stato necessario modificare i processi CMOS, in seguito all'introduzione dei processi a doppia tasca, dei substrati con epitassia, e grazie all'uso di processi avanzati per i bipolari quali gli emettitori in [[polisilicio]], le strutture autoallineate e gli isolamenti LOCOS.

L'avvento delle applicazioni wireless, ha determinato un 'aumentata richiesta di integrati per [[radio frequenza|RF]] ad alte prestazioni. È stato possibile supplire a questa necessità con l'introduzione di processi BiCMOS a SiGe (Silicio-Germanio), competitivi con i processi in GaAs (Arsenuro di [[Gallio (elemento chimico)|gallio]]) e compatibili con processi Si. Questi nuovi processi permettono di raggiungere frequenze di transizione pari a 50–70&nbsp;GHz, contro i 10&nbsp;GHz di un normale transistore bipolare npn.

== Configurazioni ==

Principalmente un dispositivo BiCMOS è costituito dalla cascata di uno [[stadio]] di ingresso CMOS e uno stadio di uscita di tipo totem-pole a BJT. Generalmente una [[rete logica|rete]] di pilotaggio del totem-pole (tipicamente 2 transistor NMOS) è necessaria per migliorarne le prestazioni dinamiche.

È quindi evidente che in ingresso avremo un'alta [[impedenza]] dovuta ai gate dei transistori MOS e in uscita una bassa impedenza dovuta alla coppia di bipolari.

Altre configurazioni prevedono una più complessa rete di pilotaggio costituita da [[Logica NMOS|NMOS]] e [[Logica PMOS|PMOS]] e permettono così una escursione logica completa.

== Vantaggi ==

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== Svantaggi ==

La logica BiCMOS richiede un processo di fabbricazione complesso e dunque costoso. È perciò necessario che le elevate prestazioni che dimostra in certi campi vengano realmente sfruttate.

Altra caratteristica è il consumo di [[potenza (elettrotecnica)elettrica|potenza]]: se questo è infatti nettamente inferiore a quello di una porta logica [[Transistor-transistor logic|TTL]] equivalente, non sarà mai ridotto quanto quello di un dispositivo CMOS.

== Note ==

<references/>

== Voci correlate ==

* [[CMOS|Cmos]]

* [[Transistor a giunzione bipolare]] (BJT)

== Altri progetti ==

{{interprogetto}}

{{Portale|informatica}}

[[Categoria:Famiglie logiche]]

[[en:BiCMOS]]

[[es:BiCMOS]]

[[fr:BiCMOS]]

[[pt:BiCMOS]]

[[ru:BiCMOS]]

[[zh:BiCMOS]]