EEPROM: differenze tra le versioni

Versione delle 13:37, 5 nov 2021

Versione attuale delle 02:35, 20 dic 2024

(15 versioni intermedie di 10 utenti non mostrate)

Riga 1:

[[File:EPROM M27C512.JPG|thumb|EPROM ST M27C512]]

'''la eprom''' (anche scritto '''E²PROM'''), [[acronimo]] di '''E'''lectrically '''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory (Memoria Elettricamente Programmabile e Cancellabile di Sola-Lettura), è un tipo di [[memoria non volatile]], usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione (informatica)|configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.

In [[informatica]] ed [[elettronica]] una '''la epromEEPROM''' (anche scritto '''E²PROM'''), [[acronimo]] di 'dell''E'''lectrically[[Lingua '''E'''rasableinglese|inglese]] '''P'''rogrammableElectrically '''R'''ead-'''O'''nlyErasable Programmable Read Only Memory'''M'''emory, (Memoria{{Lett|memoria Elettricamentedi Programmabilesola elettura Cancellabileprogrammabile die Sola-Letturaelettricamente cancellabile}}), è un tipo di [[memoria non(informatica)|memoria volatileinformatica]], [[Read Only Memory|di sola lettura]] cancellabile elettricamente (a differenza delle [[EPROM]]) usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione (informatica)|configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.

Ciascuna cella di galeramemoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".

== Nascita della tecnologia ==

Line 18 ⟶ 20:

La tecnologia EEPROM è stata quindi sviluppata sulla base della preesistente tecnologia [[EPROM]], al fine di ovviare al problema della cancellazione dei dati. Nelle EPROM, infatti, la cancellazione viene effettuata attraverso l'esposizione a [[radiazione ultravioletta|radiazione UV]], con conseguenti difficoltà di natura logistica (necessità di rimozione del chip dalla scheda su cui è assemblato, perdita di tempo per l'esposizione/cancellazione stessa).

[[File:EPROM M27C512.JPG|thumb|EPROM ST M27C512]]

== Il transistor di memoria ==

Line 42 ⟶ 43:

Durante le riscritture, l'ossido del gate nei [[Floating Gate MOSFET|transistor floating-gate]] accumula gradualmente elettroni intrappolati. Il campo elettrico di questi elettroni si somma a quello degli elettroni nel gate flottante, abbassando la differenza tra le tensioni associate ai due stati logici. Dopo un certo numero di cicli di riscrittura, la differenza diventa troppo piccola per essere misurabile, la cella è bloccata nello stato programmato e si verificano problemi di resistenza. I produttori tipicamente specificano un numero massimo di riscritture pari a 10⁶ e oltre.

Nello stato programmato, inoltre, col tempo gli elettroni iniettati nel gate flottante possono andare in deriva attraverso l'isolante, soprattutto ad alte temperature. Questo causa una perdita di carica, riportando la cella nello stato cancellato. Tipicamente i produttori garantiscono una durata del ritenzione del dato di 10 o più anni.<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>

== Considerazioni conclusive ==

Line 58 ⟶ 59:

* [[BIOS]]

* [[Memoria flash]]

* [[PendriveChiave USB]]

== Altri progetti ==

{{interprogetto|preposizione=sull'}}

== Collegamenti esterni ==

* {{Collegamenti esterni}}

* {{FOLDOC|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory}}

{{Controllo di autorità}}

{{Logica programmabile}}

{{Controllo di autorità}}

{{Portale|elettronica|Informatica}}