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[[File:ATI Radeon X1300 256MB - Hynix HY5DU561622CTP-5-5390.jpg|thumb|Hynix 256M GDDR SDRAM]]
[[File:GDDR3.jpg|thumb|upright=1.
'''GDDR''', acronimo per '''Graphics Double Data Rate''', è una tecnologia di [[memoria (informatica)|memoria]] [[RAM]] specifica per [[scheda grafica|schede grafiche]] basata sulla tecnologia [[DDR SDRAM|Double Data Rate]] che ha sostituito la [[VRAM]] (Video RAM) ed è attualmente alla sua quinta generazione (GDDR5). Essa viene utilizzata dalla scheda video per memorizzare temporaneamente informazioni necessarie al [[rendering]] della scena, come, ad esempio, le [[texture]] per evitare di doverle memorizzare nella memoria centrale di sistema, operazione che richiede molto più tempo. La caratteristica principalmente richiesta nelle memorie video è infatti la velocità, che deve essere sufficientemente elevata da seguire le elaborazioni della [[Graphics Processing Unit|GPU]].▼
▲In [[informatica]] ed [[elettronica]] una '''GDDR''',
I [[Circuito integrato|chip]] di memoria sono generalmente disposti a "L" o a semicerchio attorno al processore grafico e collegate con un bus con ampiezza che dipende dal modello di scheda, ma che può arrivare fino a 512bit.
== Generazioni ==
=== DDR SGRAM ===
GDDR era inizialmente noto come DDR SGRAM (RAM grafica sincrona a doppia velocità di trasmissione dati). È stato introdotto commercialmente come chip di memoria da 16 Mb da Samsung Electronics nel 1998.
=== GDDR2 ===
La prima implementazione delle memorie GDDR2
=== GDDR3 ===
Le caratteristiche delle GDDR3 sono del tutto simili a quelle delle DDR2, sebbene presentino un consumo e un surriscaldamento ridotto, permettendo maggiori velocità di funzionamento e sistemi di raffreddamento più semplici. Queste memorie utilizzano dei terminatori interni, che consentono di gestire meglio le informazioni necessarie all'elaborazione grafica e trasferiscono 4 [[bit]] di dati per pin in 2 cicli di [[clock]].
=== GDDR4 ===
La memoria GDDR4 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR3. Le novità del
Inoltre GDDR4 espande il buffer di I/O del chip a 8 bit per due cicli, consentendo una maggiore larghezza di banda sostenuta durante la trasmissione burst, ma a scapito di una latenza CAS (CL) significativamente aumentata, determinata principalmente dal doppio numero ridotto di pin di indirizzo/comando e dalle celle DRAM half-clocked, rispetto a GDDR3. Il numero di pin di indirizzamento è stato ridotto alla metà di quello del core GDDR3 e sono stati utilizzati per l'alimentazione e la terra, il che aumenta anche la latenza. Un altro vantaggio della GDDR4 è l'efficienza energetica: con una velocità di 2,4 Gbit/s, utilizza il 45% di energia in meno rispetto ai chip GDDR3 con una velocità di 2,0 Gbit/s.
▲Le novità del nuovo formato riguardano l'introduzione di 2 nuove tecnologie, ''Data Bus Inversion'' (DBI) e Multi-Preamble, per ridurre i tempi di latenza, un prefetch di 8 bit contro i 4 delle GDDR3 e la possibilità di avere fino a 8 banchi di memoria. Per un [[bandwidth]] uguale a quello delle GDDR3, la frequenza di funzionamento risulta dimezzata, e il voltaggio è stato ridotto a 1,5 V.
▲Attualmente le memorie GDDR4 vengono utilizzate nelle schede ATi Radeon X1950, nelle HD2600/2900 XT, nelle HD3870, nelle HD4670 e nella HD4850 di PowerColor, mentre non sono state utilizzate da nVidia per le sue schede di ultima generazione della serie GeForce 8/9 e GTX200.
=== GDDR5 ===
GDDR5 da record per Samsung|autore=Punto Informatico}}</ref>.
L'obiettivo di questo formato è di garantire un [[transfer rate]]
Le GDDR5 usano un [[prefetch]] a [[8 bit]], come le GDDR4, ma offrono alcune innovazioni; prima di tutto, le GDDR5 usano 2 frequenze di clock, ''CK'' e ''WCK'' (la seconda lavora a frequenza doppia rispetto alla prima). I comandi sono trasferiti in modalità "SDR", ovvero "single data rate" (quindi con trasferimento dei dati sul solo fronte di salita del clock), alla frequenza CK; gli indirizzi sono trasferiti in DDR alla frequenza CK; i dati sono trasferiti in DDR alla frequenza WCK. Tale approccio è stato introdotto in quanto riduce i problemi legati alla qualità del segnale durante la trasmissione dei comandi e degli indirizzi, mentre accede a una frequenza superiore per la trasmissione dati. Sfortunatamente, frequenze superiori corrispondono a una maggior probabilità di errori, e si è quindi reso necessario un meccanismo di rilevazione di tali errori, al fine di garantire l'integrità dei dati trasmessi.
=== GDDR5X ===
La memoria GDDR5X è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, proposta come miglioria del GDDR5. Presenta una larghezza di banda doppia rispetto alla GDDR5
=== GDDR6 ===
La memoria GDDR6 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR5X e sviluppata nel luglio 2017<ref name="GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD"> {{cita web|url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd250b|titolo=GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD|accesso=16 giugno 2020|autore=JEDEC}}</ref>, offre una larghezza di banda per pin fino a 16 Gbit/s con un voltaggio operativo minore (1,35 [[V|Volt]])e aumentando le prestazioni e diminuendo il consumo energetico rispetto a GDDR5X.
=== GDDR6X ===
La memoria GDDR6X è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, proposta come miglioria del GDDR6 e sono state introdotte per la prima volta nella [[GeForce 30 series|Geforce 30 series]] di [[NVIDIA]], le GDDR6X sviluppate da Micron offrono una maggiore larghezza di banda per pin tra 19 e 21 Gbit/s con la modulazione PAM4 (modulazione di ampiezza dell'impulso a 4 livelli), consentendo la trasmissione di due bit per simbolo e sostituendo la precedente codifica NRZ (Non-return-to-zero, PAM2) che forniva solo un bit per simbolo, limitando così la larghezza di banda per pin di GDDR6 a 16 Gbit/s.<ref>{{Cita web|url=https://www.hwupgrade.it/news/memorie/gddr6x-cosa-cambia-rispetto-alle-gddr6-ce-lo-spiega-micron_91741.html|titolo=}}</ref> La segnalazione PAM4 non è nuova, ma costa di più da implementare, in parte perché richiede più spazio nei chip ed è più soggetta a problemi di rapporto segnale/rumore (SNR). GDDR6X consuma il 15% in meno di energia per bit trasferito rispetto a GDDR6, ma il consumo energetico complessivo è maggiore poiché GDDR6X è più veloce di GDDR6. In media, PAM4 consuma meno energia e utilizza meno pin rispetto alla segnalazione differenziale, pur essendo più veloce di NRZ. Si ritiene che GDDR6X sia più economica della memoria ad alta larghezza di banda.
=== GDDR7 ===
La memoria GDDR7 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR6X, presentata da Samsung al Samsung Tech Day 2022, in grado di fornire fino a 36 GT/s. Samsung ha poi annunciato due mesi dopo che avrebbe utilizzato la segnalazione PAM-3 per ottenere la massima velocità di trasferimento. Il 5 marzo 2024, JEDEC ha pubblicato ufficialmente e pubblicamente lo standard di memoria grafica GDDR7. Le memorie GDDR7 hanno introdotto la modulazione PAM3 (modulazione di ampiezza dell'impulso a 3 livelli) al posto di NRZ (Non-return-to-zero, PAM2). PAM-3 è il 20% più efficiente dal punto di vista energetico rispetto a NRZ con una larghezza di banda maggiore e ha requisiti di apparecchiature inferiori rispetto a PAM-4, il che lo rende più economico. PAM-3 utilizza 1,58 bit per ciclo, mentre NRZ utilizza solo 1 bit per ciclo.
== Note ==
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* [[Memoria (informatica)]]
* [[DDR SDRAM]]
== Altri progetti ==
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