CMOS: differenze tra le versioni

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[[File:CMOS inverter.svg|thumb|upright=1.0|Circuito semplificato dell'[[invertitore]] a tecnologia CMOS]]

In [[informatica]] ed [[elettronica]] un '''CMOS''' ([[acronimo]] dell'[[Lingua inglese|inglese]] ''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor'', {{Lett|metallo-ossido-semiconduttore complementare}} ) è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica digitale]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]].

== Descrizione ==

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=== Caratteristiche ===

[[File:Cmos impurity profile-en.PNGsvg|thumb|left|upright=1.0|Sezione trasversale di due transistor in una porta CMOS]]

[[File:CMOS fabrication process.svg|thumb|upright=0.8|Processo semplificato di microfabbricazione.<br/>NB: i contatti di ''gate'', ''source'' e ''drain'' non sono realmente sullo stesso piano, e il diagramma non è in scala.]]

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Quindi la potenza media dinamica è

:<math>\langle P_d \rangle = P_n + P_p + P_c = P_n + P_p \ </math>

==Sviluppi==

Nell'ottobre 2025 sono stati presentati i primi chip al silicio che integrano la stabilità di quest'ultimo con la rapidità dei materiali 2D.<ref>{{cita web |url=https://www.hdblog.it/hardware/articoli/n634878/chip-2d-silicio-fudan/|titolo=Dalla Cina il primo chip 2D ibrido con silicio: 94% di resa e prestazioni record|data=15 ottobre 2025}} </ref><ref>{{Cita pubblicazione|nome=Chunsen|cognome=Liu|nome2=Yongbo|cognome2=Jiang|nome3=Boqian|cognome3=Shen|data=2025-10-08|titolo=A full-featured 2D flash chip enabled by system integration|rivista=Nature|pp=1–8|lingua=en|accesso=2025-10-18|doi=10.1038/s41586-025-09621-8|url=https://www.nature.com/articles/s41586-025-09621-8}}</ref>

== Note ==

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{{Componenti elettronici}}

{{Controllo di autorità}}

{{Portale|elettronica|elettrotecnica|informatica|scienza e tecnica}}