Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni

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Il '''[[drogaggio]] per diffusione termica''' è un processo nel quale i wafer di [[silicio]] vengono portati a temperature superiori a 1000 [[Celsius|°C]] per attivare la diffusione del [[drogante]] nel silicio stesso.

Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori deldella [[coefficientediffusività di diffusionemateria]], bloccando così il processo.

Il processo diffusivo si articola fondamentalmente in tre fasi:

# apertura di una finestra sulla zona della matrice cristallina da trattare (questa fase è necessaria in quanto la matrice cristallina di silicio viene protetta con uno strato di [[Silice|ossido di silicio]] SiO₂ che risulta essere impermeabile agli agenti droganti);

# predeposizione (usualmente abbreviata in predep), cioè introduzione della dose desiderata di drogante, dove la dose, che dipende dalla concentrazione di drogante, è il numero di [[Atomo|atomi]] di drogante per cm²³;

# drive-in, che consiste nel bloccaggio della dose e nel lasciare che il drogante diffonda più in profondità, dato che un difetto della predeposizione è proprio quello di far accumulare il drogante troppo vicino all'interfaccia tra la matrice cristallina del silicio e l'atmosfera o, ugualmente, lo strato solido, ricca di droganti.

La diffusione ionicatermica era il metodo preferito di drogaggio dei wafer di silicio prima dell'introduzione dell'[[impiantazione ionica]].

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[[Categoria:TecnologieProcessi produttivi per l'elettronica]]

[[Categoria:FisicaDispositivi deia semiconduttorisemiconduttore]]