Effetto Early: differenze tra le versioni
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L''''effetto Early''' è un fenomeno caratteristico di tutti i [[Transistor a giunzione bipolare]] (BJT, ''bipolar junction transistor'') che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore <math> V_{CB}</math>, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa. Infatti, fissato un valore di tensione Base-Emettitore, all'aumentare della tensione Collettore-Emettitore, aumenta la tensione di polarizzazione inversa della giunzione Base-Collettore <math> (V_{BC} < 0)</math> di conseguenza aumentando la larghezza della regione di svuotamento di tale giunzione. Tutto ciò porta ad una riduzione della larghezza totale della Base del transistore, e poiché la corrente di saturazione <math>I_\mathrm{S}</math> è inversamente proporzionale alla larghezza della base, l'aumento della <math>I_\mathrm{S}</math> produce anche un aumento della corrente di collettore <math>I_\mathrm{C}</math>, la quale può essere espressa nei seguenti modi:▼
[[File:Early effect (graph - I C vs V CE).svg|thumb|upright=1.2|Grafico che evidenzia il flusso di rette, e la distorsione in
▲L{{'}}'''effetto Early''' è un fenomeno caratteristico di tutti i [[
<math> I_\mathrm{C} = I_\mathrm{S} \left( e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1 \right) \left(1 + \frac{V_\mathrm{CB}}{V_\mathrm{A}}\right)</math>
e, sapendo che <math> V_{CB} = V_{CE} + V_{EB} = V_{CE} - V_{BE} </math> può essere approssimata come segue
:<math> I_\mathrm{C} \simeq I_\mathrm{S} \left( e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1 \right) \left(1 + \frac{V_\mathrm{CE}}{V_\mathrm{A}}\right)</math>
:
con '''<math>V_\mathrm{A}</math>'''che prende il nome di
Tale effetto si può evidenziare osservando la lieve inclinazione delle rette sulla caratteristica di uscita (<math>V_\mathrm{CE}</math> e <math>I_\mathrm{C}</math>), nella Regione Lineare. Tali rette risultano appartenere ad un fascio, il cui centro è il valore di tensione negativa <math>V_\mathrm{A}</math>.▼
▲Tale effetto si può evidenziare osservando la lieve inclinazione delle rette sulla caratteristica di uscita (<math>V_\mathrm{CE}</math> e <math>I_\mathrm{C}</math>), nella
▲File:Early effect (graph - I C vs V CE).svg|Grafico che evidenzia il flusso di rette, e la distorsione in Regione Lineare dovuta all'effetto Early.
== Modifica al
In aggiunta si osserva una variazione del <math>\beta_F</math> in presenza dell'effetto Early, tale per cui:
<math>\beta_F = \beta_{F0}
e come prima,
<math>\beta_F
dove <math>\beta_{F0}</math>è il rapporto <math>\frac {I_C}{I_B}</math> in
== Voci correlate ==
* [[Transistor a giunzione bipolare]]
* [[Mosfet]]
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{{Transistor}}
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[[Categoria:Transistor a giunzione bipolare]]
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