Memory refresh: differenze tra le versioni
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Il '''memory refresh''' è il processo periodico che consiste nel leggere e riscrivere i dati in ogni singola cella di una memoria di tipo dinamico, [[DRAM]].▼
▲Il '''memory refresh''' è il processo periodico che consiste nel leggere e riscrivere i dati in ogni singola cella di una memoria di tipo dinamico
Nelle DRAM ogni dato presente in memoria ([[bit]]) è rappresentato dall'assenza o dalla presenza di una [[carica elettrica]] all'interno di un piccolo [[condensatore (elettrotecnica)|condensatore]].
Con il passare del tempo la carica all'interno si attenua. Per questo motivo vengono utilizzati i cicli di refresh per mantenere i dati all'interno della memoria, che altrimenti andrebbero persi.
Quando la memoria sta eseguendo un ciclo di refresh non è disponibile ad operazioni di lettura o scrittura per un periodo di tempo. Nelle memorie moderne questo limite è stato superato perché il tempo necessario ad un'operazione di refresh è talmente breve da non riuscire a rallentare le operazioni sulla memoria.
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Il ciclo di refresh è simile a quello di lettura ma viene svolto più velocemente perché:
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