Memory refresh: differenze tra le versioni

Versione delle 13:51, 23 giu 2021

Versione attuale delle 18:47, 1 mag 2024

(2 versioni intermedie di 2 utenti non mostrate)

Riga 1:

{{F|memorie informatiche|maggio 2021}}

Il '''memory refresh''' è il processo periodico che consiste nel leggere e riscrivere i dati in ogni singola cella di una memoria di tipo dinamico, ([[DRAM]]).

Nelle DRAM ogni dato presente in memoria ([[bit]]) è rappresentato dall'assenza o dalla presenza di una [[carica elettrica]] all'interno di un piccolo [[condensatore (elettrotecnica)|condensatore]].

Line 16 ⟶ 17:

Il ciclo di refresh è simile a quello di lettura ma viene svolto più velocemente perché:

* Perper il refresh si ha bisogno solo dell'indirizzo della riga e non della colonna.

* Ilil dato letto non deve essere caricato sui data bus per essere mandato alla [[CPU]]

{{Portale|informatica}}