Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni

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[[File:MOSFET_schema.png|thumb|Sezione di un MOSFET a canale p]]

Il transistor ad effetto di campo viene realizzato affiancando il terminale di ''gate'' da due regioni di silicio [[drogaggio|drogate]] in maniera opposta al ''bulk'', che costituiscono i terminali di ''drain'' e ''source''. Tali diffusioni costituiscono una [[giunzione p-n]], un contatto tra i blocchi di tipo P e di tipo N ed è priva di [[Portatore di carica|portatori]] liberi. Ai due lati della giunzione vi è una [[differenza di potenziale]] costante, chiamata [[Regione di carica spaziale#Tensione di built-in|tensione di ''built-in'']], che deve mantenere una polarizzazione inversa per il funzionamento del dispositivo.

La regione di substrato compresa tra i due terminali ''drain'' e ''source'' è detta '''regione di canale''', ed è caratterizzata da una ''lunghezza di canale L'' e da una ''larghezza di canale W'', misurate rispettivamente lungo la direzione parallela e perpendicolare rispetto al verso della corrente che percorre il canale. Tale regione fornisce un percorso conduttivo tra i due terminali ed è separata dal ''gate'' da un sottile strato solitamente composto da biossido di silicio.

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== Bibliografia ==

*{{cita libro|Paolo| Spirito| Elettronica digitale| 2006 | McGraw-Hill Libri Italia sr.| Milano |isbn=978-88-386-6323-9|cid=Spirito}}

*{{RivistaVG|e2000|7|72-76|11|1979|Field Effect Transistor}}

== Voci correlate ==