Write amplification: differenze tra le versioni

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I fattori che possono condizionare la proliferazione di scritture di un SSD sono di varia natura. Alcuni possono essere controllati durante l'utilizzo mentre altri sono intrinseci alla tecnologia di scrittura di questo tipo di dispositivi.

[[Intel]]<ref name="Lucchesi">{{Cita web |url=http://www.silvertonconsulting.com/newsletterd/SSDf_drives.pdf |titolo=SSD Flash drives enter the enterprise |autore=Lucchesi, Ray |data=settembre 2008 |editore=Silverton Consulting |accesso=18 giugno 2010 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20110531215833/http://www.silvertonconsulting.com/newsletterd/SSDf_drives.pdf |dataarchivio=31 maggio 2011 |urlmorto=sì }}</ref> e [[Western Digital|SiliconSystems]] (acquisita da [[Western Digital]] nel 2009)<ref name="Zsolt_Silicon_Systems">{{Cita web|url=http://www.storagesearch.com/siliconsystems.html |titolo=Western Digital Solid State Storage - formerly SiliconSystems |autore=Kerekes, Zsolt |editore=ACSL |accesso=19 giugno 2010}}</ref> usano il termine ''write amplification'' nella loro documentazione e nelle loro pubblicazioni già dal 2008. La ''write amplification'' è misurata tipicamente dal rapporto fra il numero di scritture realmente eseguite sulla flash e il numero scritture richieste dall'host. Senza algoritmi di compressione, la ''write amplification'' non può scendere sotto al valore di 1. Usando algoritmi di compressione, [[SandForce]] dichiara di raggiungere valori tipici di write amplification pari a 0.5,<ref name="Anand_WA">{{Cita web |url=https://www.anandtech.com/show/2899 |titolo=OCZ's Vertex 2 Pro Preview: The Fastest MLC SSD We've Ever Tested |autore=Shimpi, Anand Lal |data=31 dicembre 2009 |editore=[[AnandTech]] |accesso=16 giugno 2011 |dataarchivio=23 giugno 2011 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20110623145121/http://www.anandtech.com/show/2899 |urlmorto=sì }}</ref> con picchi che possono scendere fino a 0.14 con il controller SF-2281.<ref>{{Cita web|url= https://www.tomshardware.com/reviews/ssd-520-sandforce-review-benchmark,3124-11.html |titolo= Intel SSD 520 Review: SandForce's Technology: Very Low Write Amplification |sito=Tomshardware|data=6 febbraio 2012 |nome=Andrew |cognome=Ku|accesso=10 febbraio 2012 }}</ref>

== Funzionamento elementare di un SSD ==

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[[File:Garbage Collection.png|thumb|upright=1.5|Le pagine sono scritte nei blocchi fino a quando non vengono riempiti. Poi le pagine con le informazioni attuali sono spostate in nuovi blocchi e quelli precedenti vengono cancellati<ref name="IBM_WA" />]]

I dati sono scritti sulla memoria flash in unità chiamate pagine (costituite da più celle). La memoria può essere cancellata solo in unità più grandi chiamate blocchi (costituiti da più pagine).<ref name="L Smith">{{Cita web |url=http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |titolo=NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability – an In-depth Look |autore=Thatcher, Jonathan |data=18 agosto 2009 |editore=SNIA |accesso=28 agosto 2012 |dataarchivio=7 settembre 2012 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20120907062956/http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |urlmorto=sì }}</ref> Se le informazioni in qualcuna delle pagine del blocco non sono più necessarie (sono anche chiamate pagine di stallo), solo le pagine con informazioni valide in quel blocco sono lette e riscritte in un altro blocco libero precedentemente pulito.<ref name="K Smith" /> Successivamente le pagine lasciate libere dal non aver mosso le informazioni di stallo sono libere per i nuovi dati. Questo processo è chiamato [[garbage collection]] (GC).<ref name="IBM_WA" /><ref name="OCZ_WA"/> Tutti gli SSD includono un qualche livello di garbage collection, che può variare nella quantità e nella velocità di esecuzione del processo.<ref name="OCZ_WA" />. Il garbage collection è un fattore determinante per la write amplification su di un SSD.<ref name="IBM_WA" /><ref name="OCZ_WA" />

Le operazioni di lettura non richiedono una cancellazione della memoria flash, pertanto non sono generalmente associate alla write amplification. Nella limitata ipotesi in un errore di disturbo dell'operazione di lettura, le informazioni in quel blocco sono lette e riscritte, ma questo non avrebbe comunque nessun impatto materiale sulla write amplification del dispositivo.<ref>{{Cita web |url=http://download.micron.com/pdf/technotes/nand/tn2917.pdf |titolo=TN-29-17: NAND Flash Design and Use Considerations |anno=2006 |editore=Micron |accesso=2 giugno 2010 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20110719170510/http://download.micron.com/pdf/technotes/nand/tn2917.pdf |dataarchivio=19 luglio 2011 |urlmorto=sì }}</ref>