Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni

Versione delle 18:45, 1 nov 2005

Versione attuale delle 10:37, 16 lug 2017

(16 versioni intermedie di 14 utenti non mostrate)

Riga 1:

{{F|fisica|luglio 2017}}

LaIl '''[[drogaggio]] per diffusione termica''' è un processo di [[drogaggio]] nel quale i wafer di [[silicio]] vengono portati a temperature superiori a 1000 [[Celsius|°C]] per attivare la diffusione del [[drogante]] nel silicio stesso.

Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori deldella [[coefficientediffusività di diffusionemateria]], e per bloccarebloccando così l'omonimoil processo.

Il processo diffusivo si articola fondamentalmente in tre fasi:

# apertura di una finestra sulla zona della matrice cristallina da trattare (questa fase è necessaria in quanto la matrice cristallina di silicio viene protetta con uno strato di [[Silice|ossido di silicio]] SiO₂ che risulta essere impermeabile agli agenti droganti);

# predeposizione (usualmente abbreviata in predep), cioè introduzione della dose desiderata di drogante, dove la dose, essendoche l'integraledipende delladalla concentrazione di drogante, è il numero di [[Atomo|atomi]] di drogante per cm²³;

# drydrive-in, che consiste nel bloccaggio della dose e nel lasciare che il drogante diffonda più in profondità, dato che un difetto della predeposizione è proprio quello di far accumulare il drogante troppo vicino all'interfaccia tra la matrice cristallina del silicio e l'atmosfera o, ugualmente, lo strato solido, ricca di droganti.

La diffusione termica era il metodo preferito di drogaggio dei wafer di silicio prima dell'introduzione dell'[[impiantazione ionica]].

[[Categoria:Elettronica]]

{{portale|fisica}}

[[Categoria:Processi produttivi per l'elettronica]]

[[Categoria:Dispositivi a semiconduttore]]