Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni
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In [[elettronica]], il '''Floating Gate MOSFET''', spesso abbreviato con l'[[acronimo]] '''FGMOS''', è un [[transistor ad effetto di campo]] la cui struttura è simile a quella di un [[MOSFET]]. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di ''gate'', detto ''Floating Gate'', situato tra il substrato ed il ''Control Gate'' e separato da essi dal [[silice|biossido di silicio]] SiO<
Nei FGMOS a canale ''n'' l'iniezione di carica può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]], come nel caso delle memoria Flash, o per [[effetto tunnel]], come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale ''p'' si usa il fenomeno di [[breakdown a valanga]], utilizzato nella programmazione delle EPROM.
== Storia ==▼
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Il primo progetto di un Floating Gate MOSFET fu presentato da [[Dawon Kahng|Kahng]]
▲==Storia==
▲Il primo progetto di un Floating Gate MOSFET fu presentato da Kahng and Sze,<ref>D. Kahng and S.M. Sze, "A floating-gate and its application to memory devices," The Bell System Technical Journal, vol. 46, no. 4, 1967, pp. 1288-1295</ref> nel 1967. La prima applicazione di un FGMOS fu l'utilizzo come memoria in dispositivi EEPROM, EPROM e flash.<br>
Nel 1989 la [[Intel]] sviluppò il primo FGMOS come elemento di memoria analogica non volatile nel chip ETANN,<ref>M. Holler, S. Tam, H. Castro, and R. Benson, "An electrically trainable artificial neural network with 10240 'floating gate' synapses," Proceeding of the International Joint Conference on Neural Networks, Washington, D.C., vol. II, 1989, pp. 191-196</ref> dimostrandone il potenziale anche al di fuori dell'ambito delle memorie digitali.
I risultati di tre ricerche in particolare fondarono le basi per il successivo sviluppo del FGMOS:
# L'utilizzo dell'iniezione per effetto tunnel nella tecnologia CMOS di Thomsen e Brooke<ref>A. Thomsen and M.A. Brooke, "A floating gate MOSFET with tunneling injector fabricated using a standard double-polysilicon CMOS process," IEEE Electron Device Letters, vol. 12, 1991, pp. 111-113</ref> permise a molti ricercatori di studiare circuiti che utilizzano FGMOS senza ricorrere a processi di fabbricazione complessi.
# Il circuito ''ν''MOS, o neuron-MOS, sviluppato da Shibata and Ohmi<ref>T. Shibata and T. Ohmi, "A functional MOS transistor featuring gate-level weighted sum and threshold operations," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, no. 6, 1992, pp. 1444-1455</ref> mostrò l'efficienza dell'uso dei raggi UV sui FGMOS.
# La retina adattiva di Carver Mead<ref>C.A. Mead and M. Ismail, editors, Analog VLSI Implementation of Neural Systems, Kluwer Academic Publishers, Norwell, MA, 1989</ref> fornì un primo esempio dell'uso di programmazione/cancellazione ripetuta tramite raggi UV nella tecnologia dei circuiti adattivi.
▲[[Image:Floating gate transistor.png|thumb|A cross-section of a floating-gate transistor]]
== Struttura ==
Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'', isolato elettricamente da due strati di SiO<sub>2</sub>, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO<sub>2</sub> che separa il FG dal substrato deve
Vi sono
== Note==
<references/>
==Collegamenti esterni==▼
*[http://etd.gatech.edu/theses/available/etd-08062006-001021/unrestricted/ozalevli_erhan_200612_phd.pdf EXPLOITING FLOATING-GATE TRANSISTOR PROPERTIES IN ANALOG AND MIXED-SIGNAL CIRCUIT DESIGN]▼
*[http://computer.howstuffworks.com/rom4.htm Howstuffworks "How ROM Works"]▼
*[http://www.cs.washington.edu/homes/diorio/Publications/CoAuthConfPapers/PaulHasler/Floatgate_dev.pdf Floating Gate Devices]▼
*[http://www.amazon.com/dp/3639134109 FLOATING-GATE TRANSISTORS IN ANALOG AND MIXED-SIGNAL CIRCUIT DESIGN]▼
*[http://www.amazon.com/dp/3836441772 Tunable and reconfigurable circuits using floating-gate transistors]▼
== Voci correlate ==
* [[IGBT]]▼
* [[MOSFET]]
* [[MESFET]]
* [[Logica NMOS]]
* [[Logica PMOS]]
▲==Collegamenti esterni==
[[Categoria:Transistor ad effetto di campo]]▼
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{{Portale|elettronica}}
▲[[Categoria:Transistor ad effetto di campo]]
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