Gate turn-off: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Etichette: Modifica da mobile Modifica da web per mobile |
|||
(42 versioni intermedie di 23 utenti non mostrate) | |||
Riga 1:
Il '''''gate turn-off''''' ('''GTO''') è un [[Tiristore|diodo controllato (o tiristore)]] che può essere innescato e disinnescato, cioè permettere o bloccare il passaggio della corrente, agendo sull'[[elettrodo]] di ''gate''. Supera quindi la limitazione intrinseca dell'[[Tiristore|SCR]] (tiristore) in cui il flusso di corrente, una volta innescato, può essere interrotto solo da cause esterne (annullamento spontaneo o forzato della corrente).
==Descrizione==
[[File:Tiristor GTO.jpg|frame|Simbolo GTO]]
I normali
Quindi un tiristore, dopo essere stato attivato, si comporta come un normale [[diodo]] a semiconduttore.
Il '''turn on''' (innesco) è attivato da un impulso di corrente positiva tra i terminali di ''gate'' e di catodo. Quando il ''gate''-catodo si comporta come una [[giunzione p-n]], c'è una tensione relativamente bassa tra i due terminali. L'attivazione di un GTO non è comunque affidabile come in un
Il '''turn off''' (disinnesco) è attivato da un impulso di
I
{| class="wikitable"
|-
! Caratteristiche
! Descrizione
!
! GTO (1600 V, 350 A)
|-
| V<sub>T ON</sub>
| Caduta di tensione nello stato ON
| 1
| 3
|-
| t<sub>on</sub>, Ig<sub>on</sub>
| Tempo di innesco, corrente di gate
|
|
|-
| t<sub>off</sub>
Riga 34 ⟶ 35:
| 15 µs
|}
{{Citazione necessaria|<sup>
===Tiristore Gate Turn Off a buffer distribuito (Distributed buffer gate turn-off thyristor)===
Il ''distributed buffer gate turn-off thyristor'' (DB-GTO) è un tiristore che presenta una giunzione PN aggiuntiva nella regione di deriva. La struttura di questo dispositivo risulta quindi composta da giunzioni con [[drogaggio]] PN-PN-PN. Tale tecnologia consente di "riformare" il profilo del campo elettrico ed incrementare la tensione che
==Bias inverso (Reverse bias)==
I tiristori GTO sono disponibili con o senza la possibilità di bloccaggio in inversa. La capacità di bloccaggio in inversa si aggiunge alla caduta di tensione positiva per la necessità di avere una lunga regione P1 a basso [[drogaggio]].
I tiristori GTO con tensione di bloccaggio inversa sono conosciuti come
I tiristori GTO non dotati di tensione inversa di bloccaggio sono conosciuti come tiristori GTO asimmetrici, in breve A-GTO. Tipicamente hanno un livello di
I tiristori GTO asimmetrici possono essere fabbricati con un diodo conducente in inversa nello stesso modulo. Questi sono conosciuti come RCGTO, che sta per "reverse conducting GTO".
==
Diversamente dal [[IGCT]] ''(Integrated Gate Commutated Thyristor)'' o dall'[[IGBT
Durante l'innesco ''(turn-on)'' del GTO la velocità di variazione della corrente (espressa dalla sua derivata rispetto al tempo ''di/dt'') deve essere mantenuta al di sotto di un valore limite, dipendente dalle caratteristiche fisiche del dispositivo. In questo modo l'intera massa del GTO può portarsi in conduzione prima che venga raggiunto il valore nominale della corrente di carico. Se, viceversa, il rapporto ''di/dt'' venisse superato, la zona del dispositivo più vicina ai contatti di ''gate'' si surriscalderebbe e fonderebbe a causa di una densità di corrente eccessiva.<br />
▲Diversamente dal [[IGCT]] o dall'[[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]], il GTO necessita di un circuito esterno per produrre le forme d'onda necessarie all'innesco o disinnesco e per prevenire la distruzione del dispositivo.
Il rapporto ''di/dt'' viene generalmente controllato con l'utilizzo di un [[induttore]] a nucleo saturabile inserito in serie al GTO. La presenza dell'induttore impone che l'intervallo di tempo tra lo spegnimento e la successiva riaccensione del GTO debba essere maggiore o uguale a un "tempo minimo di OFF" necessario per smaltire l'energia magnetica accumulata nell'induttore durante la fase di conduzione, riportandolo così nelle condizioni iniziali.
Durante il disinnesco ''(turn-off)'' del GTO la tensione ai suoi capi deve essere limitata fino a quando la corrente si annulla. Il limite viene di solito stabilito intorno al 20% della tensione massima di lavoro del dispositivo. Se la tensione crescesse troppo rapidamente durante il disinnesco, solo una parte del dispositivo si disattiverebbe e i valori elevati di corrente e tensione concentrati in una porzione ridotta dello stesso ne provocherebbero il danneggiamento, spesso in maniera esplosiva.<br />
L'aumento della tensione al disinnesco viene generalmente controllato con l'utilizzo di un soppressore di transiente ''([[snubber]])'' inserito in parallelo al GTO. La presenza dello ''snubber'' impone che l'intervallo di tempo tra l'accensione e il successivo spegnimento del GTO debba essere maggiore o uguale a un "tempo minimo di ON" necessario per smaltire l'energia accumulata nel soppressore durante la fase di interdizione, riportandolo così nelle condizioni iniziali.
Negli azionamenti di [[motore in corrente continua|motori in corrente continua]] mediante ''[[Chopper (elettrotecnica)|chopper]]'' le limitazioni imposte dai tempi minimi di accensione e spegnimento vengono superate variando la frequenza di commutazione nelle condizioni estreme di ''[[duty cycle]]''. <br />
Nelle applicazioni di [[trazione ferroviaria]], ad esempio, la velocità del motore viene normalmente regolata mantenendo fissa ad un certo valore nominale la frequenza di commutazione sulla maggior parte del campo di velocità ed agendo sul valore del ''duty cycle'' (al crescere del ''duty cycle'' corrisponde un aumento progressivo del valore medio della tensione e dunque una maggiore velocità di rotazione del motore). <br />
All'avviamento, dato che il ''duty cycle'' non può scendere sotto un valore minimo imposto dal "tempo minimo di ON", la regolazione del regime di rotazione deve essere ottenuta variando il valore della frequenza di commutazione, che verrà fatta salire progressivamente da zero fino a raggiungere il valore nominale.<br />
Agli alti regimi di rotazione, dato che il ''duty cycle'' non può salire sopra un valore massimo imposto dal "tempo minimo di OFF", la regolazione del regime di rotazione deve essere ottenuta variando il valore della frequenza di commutazione, che verrà fatta scendere progressivamente dal valore nominale fino a zero, applicando così la piena tensione di linea al motore.
==Applicazioni==
Il GTO trova applicazione nei seguenti campi:
*''[[
*''[[Inverter]]'' di potenza.
*''[[Azionamento elettrico|Azionamenti]]'' di motori elettrici.
==Bibliografia==
* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).▼
* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).▼
== Voci correlate ==
* [[IGBT|Insulated gate bipolar transistor]]
* [[Frazionatore elettronico]]
== Altri progetti ==
{{interprogetto}}
▲* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).
▲* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).
[[Categoria:Dispositivi a semiconduttore]]
[[Categoria:Elettronica di potenza]]
|