Memory refresh: differenze tra le versioni
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{{F|memorie informatiche|maggio 2021}}
Il '''memory refresh''' è il processo periodico di leggere e riscrivere i dati immediatamente da una memoria.▼
▲Il '''memory refresh''' è il processo periodico
Nelle DRAM ogni dato presente in memoria ([[bit|bit)]] è rappresentato dall'assenza o dalla presenza di una [[carica elettrica]] all'interno di un piccolo [[Capacitore|condensatore]].▼
Con il passare del tempo la carica all'interno si attenua. Per questo motivo vengono utilizzati i cicli di refresh per mantenere i dati all'interno della memoria sennò andrebbero persi.▼
▲Nelle DRAM ogni dato presente in memoria ([[bit
▲Con il passare del tempo la carica all'interno si attenua. Per questo motivo vengono utilizzati i cicli di refresh per mantenere i dati all'interno della memoria,
Quando la memoria sta eseguendo un ciclo di refresh non è disponibile ad operazioni di lettura o scrittura per un periodo di tempo. Nelle memorie moderne questo limite è stato superato perché il tempo necessario ad un'operazione di refresh è talmente breve da non riuscire a rallentare le operazioni sulla memoria.
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Quando la memoria è in funzione, ogni cella deve essere costantemente ripristinata con un memory refresh.
Il refreshing della memoria non si sovrappone ai cicli di lettura o scrittura ma usa dei cicli specifici chiamati ''cicli di refresh'' che sono generati da contatori separati che possono essere presenti nella circuiteria della memoria o in quella di controllo.
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Il ciclo di refresh è simile a quello di lettura ma viene svolto più velocemente perché:
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{{Portale|informatica}}
[[Categoria:Memorie informatiche]]
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