Dispositivo multiporta: differenze tra le versioni

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Un '''Dispositivo multiporta''' (in inglese: ''{{Inglese|multigate device''}}) o '''multiple gate field-effect transistor''' ('''MuGFET''') fa rifeerimentoriferimento a un [[MOSFET]] ([[transistor]] [[semiconduttore]] metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo. Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti. Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta ''Multiple Independent Gate Field Effect Transistor'' (MIGFET). I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori [[CMOS]] per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.
Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta, in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta, o come elettrodi di porta indipendenti.
Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta ''Multiple Independent Gate Field Effect Transistor'' (MIGFET).
I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppati dai produttori di semiconduttori [[CMOS]] per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.
 
== Planar double-gate transistor ==
{{...|ingegneria}}
 
== Flexfet ==
{{...|ingegneria}}
 
== FinFET ==
[[File:Doublegate_FinFETDoublegate FinFET-en.PNGsvg|thumb|right| FinFET con doppia porta]]
 
Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di [[Università della California - Berkeley|Berkeley]] per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato [[Silicio su isolante|SOI]]<ref>Huang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999.</ref> , basato sul precedente transistor [[DELTA]] (a singola porta)<ref>Hisamoto, D. et al. (1991) "Impact of the vertical SOI 'Delta' Structure on Planar Device Technology" IEEE Trans. Electron. Dev. 41 p. 745.</ref>.
 
== Transistor a tre porte ==
{{...|ingegneria}}
[[File:Trigate.jpg|thumb|right|Transistor [[Intel]] a tre porte]]
{{...}}
 
== Gate-all-around (GAA) FET ==
Transistor messo in produzione per la prima volta nel 2022<ref name="Samsung">{{cita news| url = https://www.hwupgrade.it/news/cpu/samsung-3-nanometri-e-transistor-gaafet-ormai-ai-nastri-di-partenza_106731.html |titolo = Samsung: 3 nanometri e transistor GAAFET ormai ai nastri di partenza |pubblicazione = hwupgrade.it|data = 29 aprile 2022|accesso = 4 gennaio 2024}}</ref>. La variante di Intel si chiama ''RibbonFET''<ref>{{cita news| url = https://www.hwupgrade.it/news/cpu/ifs-direct-connect-2024-il-21-febbraio-2024-intel-svelera-cosa-c-e-dopo-il-processo-intel-18a_123036.html |titolo = IFS Direct Connect 2024: il 21 febbraio 2024 Intel svelerà cosa c'è dopo il processo Intel 18A |pubblicazione = hwupgrade.it|data = 4 gennaio 2024|accesso = 4 gennaio 2024}}</ref>.
{{...}}
 
== NoteMBCFET ==
È una variante GAAFET prodotta da Samsung: ''Multi-Bridge Channel FET'' (FET con canale multiponte)<ref name="Samsung" />.
 
== Note ==
<references/>
 
== Voci correlate ==
* FinFET
* RibbonFET
 
==Collegamenti esterni==
*{{cita web|1=http://www.eetimes.com/story/OEG20021210S0002|2=Omega FinFET (TSMC)|lingua=en|accesso=1 dicembre 2015|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20070929100107/http://www.eetimes.com/story/OEG20021210S0002|dataarchivio=29 settembre 2007|urlmorto=sì}}
*{{en}} [http://www.freescale.com/webapp/sps/site/overview.jsp?nodeId=0ST287482180CAE Inverted T-FET (Freescale Semiconductor)]{{dead link|date=May 2015}}
*{{cita web|1=http://www.americansemi.com/Flexfet.html|2=Flexfet Transistor (American Semiconductor)|lingua=en|accesso=1º dicembre 2015|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20081218203055/http://www.americansemi.com/Flexfet.html|dataarchivio=18 dicembre 2008|urlmorto=sì}}
*{{en}} [http://www.eetimes.com/story/OEG20021210S0002 Omega FinFET (TSMC)]
*{{en}}cita [httpweb|url=https://www.intelyoutube.com/technology/silicon/integrated_cmos.htmwatch?v=YIkMaQJSyP8|titolo=Intel video explaining 3D ("Tri-Gate") chip and transistor (Inteldesign Corp.)]{{deadused linkin 22&nbsp;nm architecture of Ivy Bridge|datelingua=May 2015en}}
 
*{{en}} [http://www.americansemi.com/Flexfet.html Flexfet Transistor (American Semiconductor)]
{{Componenti elettronici}}
*{{en}} [http://www.youtube.com/watch?v=YIkMaQJSyP8 Intel video explaining 3D ("Tri-Gate") chip and transistor design used in 22&nbsp;nm architecture of Ivy Bridge]
{{Portale|Elettronica}}
 
[[Categoria:Transistor]]