EEPROM: differenze tra le versioni

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[[File:EPROM M27C512.JPG|thumb|EPROM ST M27C512]]

'''EEPROM''' (anche scritto '''E²PROM'''), [[acronimo]] di '''E'''lectrically '''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory, è un tipo di [[memoria non volatile]], usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.

In [[informatica]] ed [[elettronica]] una '''EEPROM''' (anche scritto '''E²PROM'''), [[acronimo]] di ''dell'E'''lectrically[[Lingua '''E'''rasableinglese|inglese]] '''P'''rogrammableElectrically '''R'''ead-'''O'''nlyErasable Programmable Read Only Memory'''M'''emory, {{Lett|memoria di sola lettura programmabile e elettricamente cancellabile}}) è un tipo di [[memoria non(informatica)|memoria volatileinformatica]], [[Read Only Memory|di sola lettura]] cancellabile elettricamente (a differenza delle [[EPROM]]) usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione (informatica)|configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.

Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".

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| titolo = Remembering the PROM knights of Intel

| rivista = EE Times

| data = 2 luglio 2002

| url = http://www.eetimes.com/issue/fp/showArticle.jhtml;?articleID=18307418

| accesso = 8 febbraio 2007}}</ref>

| urlarchivio = https://web.archive.org/web/20070929104409/http://www.eetimes.com/issue/fp/showArticle.jhtml;?articleID=18307418

| dataarchivio = 29 settembre 2007

| urlmorto = sì

}}</ref>

La tecnologia EEPROM è stata quindi sviluppata sulla base della preesistente tecnologia [[EPROM]], al fine di ovviare al problema della cancellazione dei dati. Nelle EPROM, infatti, la cancellazione viene effettuata attraverso l'esposizione a [[radiazione ultravioletta|radiazione UV]], con conseguenti difficoltà di natura logistica (necessità di rimozione del chip dalla scheda su cui è assemblato, perdita di tempo per l'esposizione/cancellazione stessa).

[[File:EPROM M27C512.JPG|thumb|EPROM ST M27C512]]

== Il transistor di memoria ==

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Il primo è un gate tradizionale, collegato elettricamente con il resto del gruppo. In questa tecnologia è denominato ''control gate''. Il secondo gate è sepolto nell'ossido e quindi isolato elettricamente. Esso è separato dal primo gate, così come dal canale del transistor, per mezzo di un sottilissimo strato di materiale isolante. Per questo motivo è detto ''floating gate''. In gergo, lo si definisce ''flottante''.

A differenza delle EPROM, nelle EEPROM vi è una regione, in prossimità del [[drain]], in cui lo spessore dello strato di ossido che separa il floating gate dal canale è ridotto al punto tale da permettere il passaggio di elettroni per [[effetto tunnel]] (Fowler-Nordheim).

Il [[transistor]] di memoria viene programmato attraverso il pilotaggio in tensione del control gate. La variazione del potenziale a cui questo si trova esposto determina, nella zona in cui il ridotto spessore dell'ossido isolante lo rende possibile, il manifestarsi dell'effetto tunnel e la conseguente attrazione di elettroni dal drain al gate sepolto.

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Il processo di scarica del floating gate può infatti determinare, come effetto indesiderato, l'accumulo di una carica positiva con conseguente variazione della tensione di soglia del dispositivo. Il problema è stato risolto mediante l'introduzione dei transistori di accesso, che sono parte integrante della cella.

La presenza di questi ultimi determina tuttavia, un maggiore impiego di area rispetto alle EPROM. Per ovviare a questo problema sono nate le [[Memoria flash|memorie flash]]. È bene ricordare che le memorie flash differiscono dalle EEPROM per il fatto che la programmazione si basa, in quest'ultimo caso, sul fenomeno fisico della [[Effetto valanga (elettronica)|iniezione a valanga]], e non su quello dell'effetto tunnel.

Il transistor di accesso, pilotato dalla word line, svolge inoltre la funzione di mettere in comunicazione il transistor di memoria con la bit line quando è necessario leggere il dato binario immagazzinato sotto forma di carica elettrica all'interno del canale del transistor.

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Durante le riscritture, l'ossido del gate nei [[Floating Gate MOSFET|transistor floating-gate]] accumula gradualmente elettroni intrappolati. Il campo elettrico di questi elettroni si somma a quello degli elettroni nel gate flottante, abbassando la differenza tra le tensioni associate ai due stati logici. Dopo un certo numero di cicli di riscrittura, la differenza diventa troppo piccola per essere misurabile, la cella è bloccata nello stato programmato e si verificano problemi di resistenza. I produttori tipicamente specificano un numero massimo di riscritture pari a 10⁶ e oltre.

Nello stato programmato, inoltre, col tempo gli elettroni iniettati nel gate flottante possono andare in deriva attraverso l'isolante, soprattutto ad alte temperature. Questo causa una perdita di carica, riportando la cella nello stato cancellato. Tipicamente i produttori garantiscono una durata del ritenzione del dato di 10 o più anni.<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>

== Considerazioni conclusive ==

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* [[BIOS]]

* [[Memoria flash]]

* [[PendriveChiave USB]]

== Altri progetti ==

{{interprogetto|preposizione=sull'}}

== Collegamenti esterni ==

* {{Collegamenti esterni}}

* {{FOLDOC|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory}}

{{Logica programmabile}}

{{Controllo di autorità}}

{{Portale|elettronica|Informatica}}

[[Categoria:ROM]]