Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni

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==Storia==

Il primo progetto di un Floating Gate MOSFET fu presentato da [[Dawon Kahng|Kahng]] ande [[Simon Sze|Sze]],<ref>D. Kahng and S.M. Sze, "A floating-gate and its application to memory devices," The Bell System Technical Journal, vol. 46, no. 4, 1967, pp. 1288-1295</ref> nel 1967. La prima applicazione di un FGMOS fu l'utilizzo come memoria in dispositivi EPROM, seguiti dalle [[EEPROM]] e molti anni dopo dalle [[Memoria flash|flash]].

Nel 1989 la [[Intel]] sviluppò il primo FGMOS come elemento di memoria analogica non volatile nel chip ETANN,<ref>M. Holler, S. Tam, H. Castro, and R. Benson, "An electrically trainable artificial neural network with 10240 'floating gate' synapses," Proceeding of the International Joint Conference on Neural Networks, Washington, D.C., vol. II, 1989, pp. 191-196</ref> dimostrandone il potenziale anche al di fuori dell'ambito delle memorie digitali.