Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 22:14, 2 nov 2007

Versione delle 22:16, 2 nov 2007

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[[Immagine:Modello a due porte.PNG|right|Modello a due porte generale.]]

[[Immagine:Circuito equivalente generale.PNG|right|Circuito equivalente generale per un dispositivo due porte.]]

In generale il modello ibrido è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un [[Quadrupolo|doppio bipolo]]. Si hanno quindi quattro variabili, due [[Corrente elettrica|correnti]] <math>i_1, i_2</math> e due [Tensione elettrica|tensioni]] <math>v_1, v_2</math>, che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:

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== Modello ibrido del transistor a giunzione ==

[[Immagine:Transistor EC.PNG|right|Transistor a giunzione bipolare in configurazione a emettitore comune con generatore.]]

[[Immagine:Modello ibrido BJT_EC.PNG|400px|right|Modello equivalente ibrido del transistor a giunzione a emettitore comune.]]

Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione nella prima figura. Come si vede nella figura le tensioni e le correnti <math>v_{CE},v_{BE}, i_B, i_C</math> con pedice maiuscolo indicano i valori istantanei delle grandezze; i valori <math>V_{BB}, V_{CC}</math> sono i valori massimi o i valori medi delle grandezze, <math>v_c, i_b, h_{oe}, ...</math> sono invece sono i valori istantanei delle grandezze e sono usati nel modello ibrido con l'aggiunta del pedice ''e'' nei parametri ibridi per identificare la configurazione ad emettitore comune. Il circuito equivalente del modello ibrido del transistor ad emettitore comune è rappresentato nella figura successiva. In base a quanto detto in maniera generale sul modello ibrido possiamo esprimere le variabili dipendenti e indipendenti in maniera arbitraria, ma scegliamo (secondo convenzione) di usare: