MOSFET: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
m Bot: correggo spazi verticali |
|||
Riga 24:
A seconda della tensione applicata ai capi del substrato sotto al Gate, detto [[condensatore (elettrotecnica)|condensatore]] MOS, la regione di substrato che collega drain e source può essere ricca di lacune, vuota, o ricca di elettroni: viene illustrato il funzionamento che consegue nel caso di un nMOS, il cui substrato ''p'' (cioè ha un eccesso di [[Lacuna (fisica)|lacune]]) si considera cortocircuitato con il terminale di source.
===
[[File:MOS Capacitor.png|thumb|upright=1.1|Polarizzazione nel condensatore MOS]]
Quando all'elettrodo di ''gate'' viene imposta una tensione <math>V_G</math> negativa rispetto all'elettrodo di substrato, generalmente posto a massa, le lacune del substrato si accumulano in un piccolo strato in prossimità del gate, e non consentono il passaggio di corrente tra D e S (causa l'elevata ricombinazione).
| |||