Samsung Electronics: differenze tra le versioni
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Samsung Electronics è il più grande produttore di chip di memoria al mondo dal 1993,<ref>{{Cita news|url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-tops-the-memory-market-for-the-9th-straight-year/|titolo=Samsung Electronics Tops the Memory Market for the 9th Straight Year|editore=[[Samsung]]|data=19 aprile 2002|accesso=17 luglio 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190717030524/https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-tops-the-memory-market-for-the-9th-straight-year/}}</ref> e la più grande azienda di semiconduttori dal 2017.<ref name="electronicsweekly2">{{Cita news|nome=David|cognome=Manners|url=https://www.electronicsweekly.com/blogs/mannerisms/ten-best/top-ten-5-semiconductor-companies-2018-2018-11/|titolo=Top Ten (+5) Semiconductor Companies 2018|pubblicazione=[[Electronics Weekly]]|data=14 novembre 2018|accesso=15 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190717030526/https://www.electronicsweekly.com/blogs/mannerisms/ten-best/top-ten-5-semiconductor-companies-2018-2018-11/}}</ref> La divisione Samsung Semiconductor produce vari [[Dispositivo a semiconduttore|dispositivi a semiconduttore]], inclusi [[Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore|nodi a semiconduttore]], transistor [[MOSFET]], chip a [[circuito integrato]] e [[memoria a semiconduttore]].
Dall'inizio degli anni '90, Samsung Electronics ha introdotto commercialmente una serie di nuove tecnologie di memoria.<ref name="samsung-history">{{Cita web|url=https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/|titolo=History|sito=Samsung Electronics|editore=[[Samsung]]|accesso=19 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190619091627/https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/}}</ref> Hanno introdotto commercialmente [[SDRAM]] (memoria dinamica dinamica ad accesso casuale) nel 1992,<ref>{{Cita web|url=https://www.datasheetarchive.com/KM48SL2000-7-datasheet.html|titolo=KM48SL2000-7 Datasheet|editore=[[Samsung]]|data=agosto 1992|accesso=19 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190620131939/https://www.datasheetarchive.com/KM48SL2000-7-datasheet.html}}</ref><ref name="electronic-design">{{Cita pubblicazione|anno=1993|titolo=Electronic Design|rivista=[[Electronic Design]]|editore=Hayden Publishing Company|volume=41|numero=15–21|url=https://books.google.com/books?id=QmpJAQAAIAAJ|citazione=The first commercial synchronous DRAM, the Samsung 16-Mbit KM48SL2000, employs a single-bank architecture that lets system designers easily transition from asynchronous to synchronous systems.}}</ref> e successivamente [[DDR SDRAM]] (SDRAM a doppia velocità di trasmissione) e [[GDDR]] (grafica DDR) [[SDRAM|SGRAM]] ([[DRAM|RAM grafica]] sincrona) nel 1998.<ref>{{Cita news|url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-first-128mb-sdram-with-ddr-sdr-manufacturing-option/|titolo=Samsung Electronics Develops First 128Mb SDRAM with DDR/SDR Manufacturing Option|pubblicazione=Samsung Electronics|editore=[[Samsung]]|data=10 febbraio 1999|accesso=23 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190624193356/https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-first-128mb-sdram-with-ddr-sdr-manufacturing-option/}}</ref><ref>{{Cita news|url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-comes-out-with-super-fast-16m-ddr-sgrams/|titolo=Samsung Electronics Comes Out with Super-Fast 16M DDR SGRAMs|pubblicazione=Samsung Electronics|editore=[[Samsung]]|data=17 settembre 1998|accesso=23 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190624193939/https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-comes-out-with-super-fast-16m-ddr-sgrams/}}</ref> Nel 2009, Samsung ha iniziato a produrre in serie [[Memoria flash|memorie flash]] NAND flash di [[32 nm|30 nm]],<ref>{{Cita news|url=http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100129100308_Samsung_Remains_Top_DRAM_Maker_Amid_Dramatic_Market_Growth.html|titolo=Samsung Remains Top DRAM Maker Amid Dramatic Market Growth|editore=Dow Jones|data=9 gennaio 2010|accesso=23 novembre 2010|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20101121064826/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100129100308_Samsung_Remains_Top_DRAM_Maker_Amid_Dramatic_Market_Growth.html}}</ref> e nel 2010 è riuscito a produrre in serie [[DRAM]] di 30 nm e NAND flash di 20 nm, entrambi per la prima volta al mondo.<ref name="semiconductorpackagingnews2">{{Cita news|url=http://www.semiconductorpackagingnews.com/articles/article_22008.shtml|titolo=Samsung Develops Most Advanced Green DDR3 DRAM|editore=Semiconductor Packaging News|data=3 febbraio 2010|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20150320044225/http://www.semiconductorpackagingnews.com/articles/article_22008.shtml}}</ref> Hanno anche introdotto la memoria flash NAND [[Cella a tre livelli|TLC]] (cella a tre livelli) commercialmente nel 2010,<ref name="samsung-history" /> [[Memoria flash|V-NAND]] flash nel 2013,<ref>{{Cita web|url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-introduces-worlds-first-3d-v-nand-based-ssd-for-enterprise-applications/|titolo=Samsung Introduces World's First 3D V-NAND Based SSD for Enterprise Applications | Samsung Semiconductor Global Website|sito=samsung.com|accesso=17 luglio 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190828222218/https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-introduces-worlds-first-3d-v-nand-based-ssd-for-enterprise-applications/}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1319167|titolo=Samsung Confirms 24 Layers in 3D NAND|cognome=Clarke|nome=Peter|sito=EETimes|accesso=17 luglio 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20150402043255/http://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1319167}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-mass-production-of-industry-first-3-bit-3d-v-nand-flash-memory|titolo=Samsung Electronics Starts Mass Production of Industry First 3-bit 3D V-NAND Flash Memory|sito=news.samsung.com|accesso=17 luglio 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190414192037/https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-mass-production-of-industry-first-3-bit-3d-v-nand-flash-memory}}</ref><ref>{{Cita web|url=
Un'altra area in cui l'azienda ha avuto importanti affari da anni è il segmento della fonderia. Ha iniziato a investire nel settore della fonderia dal 2006 e l'ha posizionato come uno dei pilastri strategici per la crescita dei semiconduttori.<ref>{{Cita news|url=http://techon.nikkeibp.co.jp/article/HONSHI/20100727/184604/?P=2|titolo="We Wouldn't Launch a New Business Unless We Knew We Could Win"---Jeong-ki (Jay) Min|editore=Samsung日 NE Asia|data=agosto 2010|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20130514030508/http://techon.nikkeibp.co.jp/article/HONSHI/20100727/184604/?P=2}}</ref> Da allora, Samsung è stata leader nella [[Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore|fabbricazione di dispositivi a semiconduttore]]. Samsung ha iniziato la produzione in serie di un processo di [[Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore|produzione di semiconduttori]] di classe 20 nm nel 2010,<ref name="semiconductorpackagingnews2"/> seguito da un [[10 nm|processo]] [[FinFET]] di classe [[10 nm]] nel 2013,<ref name="tomshardware">{{Cita news|url=https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html|titolo=Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash|pubblicazione=[[Tom's Hardware]]|data=11 aprile 2013|accesso=21 giugno 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190621175628/https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html}}</ref> e nodi FinFET [[7 nm]] nel 2018. Hanno anche iniziato la produzione dei primi nodi da [[5 nm]] alla fine del 2018,<ref>{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/14231/samsung-completes-development-of-5-nm-euv-process-technology|titolo=Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology|cognome=Shilov|nome=Anton|sito=anandtech.com|accesso=31 maggio 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20190420144452/https://www.anandtech.com/show/14231/samsung-completes-development-of-5-nm-euv-process-technology}}</ref> con l'intenzione di introdurre nodi [[Dispositivo multiporta|GAAFET]] da [[3 nm]] entro il 2021.<ref>{{Cita testo|url=https://www.tomshardware.com/news/samsung-3nm-gaafet-production-2021,38426.html}}</ref>
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