MOSFET: differenze tra le versioni

Versione delle 21:11, 14 mar 2023

Versione delle 11:57, 5 giu 2023

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Il condensatore MOS (Metallo-Ossido-Semiconduttore) è composto da due [[elettrodo|elettrodi]]: il substrato ed il ''gate.'' Il substrato, detto anche ''body'', il "corpo" del transistor, è costituito da materiale [[semiconduttore]] [[drogaggio|drogato]], solitamente il [[silicio]], anche se alcuni produttori di circuiti elettronici, in particolare la [[IBM]], hanno cominciato a usare una miscela di silicio e [[germanio]]. Diversi altri semiconduttori caratterizzati da migliori proprietà elettroniche rispetto al silicio, come l'[[arseniuro di gallio]], non formano buoni ossidi e quindi non sono adatti per i MOSFET.

Il ''gate'' è realizzato con materiale [[conduttore elettrico|conduttore]]: a causa dell'assenza di processi tecnologici in grado di allineare con buona precisione un ''gate'' metallico alla struttura MOS, e a causa dell'elevata contaminazione che l'[[alluminio]] introduceva durante i processi di ''annealing'' termico, si è per diversi anni usato il [[silicio policristallino]] (polisilicio) ad alto drogaggio, che non gode tuttavia di eccezionali proprietà conduttive. ''Gate'' e substrato sono separati da un sottile strato isolante detto ''ossido di gate'', composto da [[silice|biossido di silicio]] o [[isolante elettrico|dielettrici]] ad elevata [[permittività elettrica]]. Tale strato è necessario al fine di ridurre la perdita di potenza, causata principalmente dalla fuoriuscita di cariche dal gate. Infatti volendo il più possibile realizzare un comportamento ideale del MOS, la corrente di ''gate'' deve essere il più possibile nulla.

I terminali di ''source'' e ''drain'', infine, sono anch'essi composti da semiconduttore, drogato però in maniera opposta: se il substrato ha un drogaggio di tipo ''p'' i due terminali hanno drogaggio di tipo ''n'', e viceversa.<ref>{{Cita|Spirito|Pag. 55|Spirito}}.</ref>