EEPROM: differenze tra le versioni

Versione delle 16:48, 20 gen 2024

Versione delle 19:26, 1 mag 2024

Riga 42:

Durante le riscritture, l'ossido del gate nei [[Floating Gate MOSFET|transistor floating-gate]] accumula gradualmente elettroni intrappolati. Il campo elettrico di questi elettroni si somma a quello degli elettroni nel gate flottante, abbassando la differenza tra le tensioni associate ai due stati logici. Dopo un certo numero di cicli di riscrittura, la differenza diventa troppo piccola per essere misurabile, la cella è bloccata nello stato programmato e si verificano problemi di resistenza. I produttori tipicamente specificano un numero massimo di riscritture pari a 10⁶ e oltre.

Nello stato programmato, inoltre, col tempo gli elettroni iniettati nel gate flottante possono andare in deriva attraverso l'isolante, soprattutto ad alte temperature. Questo causa una perdita di carica, riportando la cella nello stato cancellato. Tipicamente i produttori garantiscono una durata del ritenzione del dato di 10 o più anni.<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>

== Considerazioni conclusive ==