Write amplification: differenze tra le versioni
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I fattori che possono condizionare la proliferazione di scritture di un SSD sono di varia natura. Alcuni possono essere controllati durante l'utilizzo mentre altri sono intrinseci alla tecnologia di scrittura di questo tipo di dispositivi.
[[Intel]]<ref name="Lucchesi">{{Cita web |url=http://www.silvertonconsulting.com/newsletterd/SSDf_drives.pdf |titolo=SSD Flash drives enter the enterprise |autore=Lucchesi, Ray |data=settembre 2008 |editore=Silverton Consulting |accesso=18 giugno 2010 |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20110531215833/http://www.silvertonconsulting.com/newsletterd/SSDf_drives.pdf |dataarchivio=31 maggio 2011 |urlmorto=sì }}</ref> e [[Western Digital|SiliconSystems]] (acquisita da [[Western Digital]] nel 2009)<ref name="Zsolt_Silicon_Systems">{{Cita web|url=http://www.storagesearch.com/siliconsystems.html |titolo=Western Digital Solid State Storage - formerly SiliconSystems |autore=Kerekes, Zsolt |editore=ACSL |accesso=19 giugno 2010}}</ref> usano il termine ''write amplification'' nella loro documentazione e nelle loro pubblicazioni già dal 2008. La ''write amplification'' è misurata tipicamente dal rapporto fra il numero di scritture realmente eseguite sulla flash e il numero scritture richieste dall'host. Senza algoritmi di compressione, la ''write amplification'' non può scendere sotto al valore di 1. Usando algoritmi di compressione, [[SandForce]] dichiara di raggiungere valori tipici di write amplification pari a 0.5,<ref name="Anand_WA">{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/2899 |titolo=OCZ's Vertex 2 Pro Preview: The Fastest MLC SSD We've Ever Tested |autore=Shimpi, Anand Lal
== Funzionamento elementare di un SSD ==
{{vedi anche|Memoria flash|Unità a stato solido|Flash file system}}
[[File:NAND Flash Pages and Blocks.svg|
A causa della particolare tipologia di operazioni eseguibili in [[memoria flash]], le informazioni non possono essere sovrascritte direttamente come nel caso di un [[disco rigido]]. Quando le informazioni sono scritte per prime in un'[[Unità a stato solido|unità stato solido]], tutte le [[Memoria flash#Il transistor floating gate|celle]] sono inizializzate in modo tale che vi si possa scrivere direttamente in pagine (solitamente di grandezza compresa intorno a 4-8 [[kilobytes]] ciascuna). Il [[Unità a stato solido#Controller|controller]] dell'unità, che si occupa di gestire la memoria flash e le [[Interfaccia (informatica)|interfacce]] con l'host, utilizza una mappatura da logico-a-fisico conosciuta come ''LBA'' o [[logical block addressing]], che è parte dell'FTL, o ''[[flash translation layer]]'', ovvero il livello di traduzione di un [[flash file system]].<ref>{{Cita web|url=http://domino.watson.ibm.com/library/cyberdig.nsf/papers/50A84DF88D540735852576F5004C2558/$File/rz3771.pdf |titolo=The Fundamental Limit of Flash Random Write Performance: Understanding, Analysis and Performance Modelling |autore1=Hu, X.-Y.
Quando le nuove informazioni arrivano a sostituire quelle vecchie, il controller dell'SSD scrive i nuovi dati in una nuova posizione e aggiorna la mappatura logica di conseguenza, riferendola alla nuova locazione fisica. Per questa ragione le informazioni nella vecchia posizione non sono più valide e hanno bisogno di essere cancellate prima che loro locazione fisica possa essere riutilizzata.<ref name="IBM_WA" /><ref name="IBM_Perf">{{Cita web|url=http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.141.1709 |titolo=Design Tradeoffs for SSD Performance |autore=Agrawal, N., V. Prabhakaran, T. Wobber, J. D. Davis, M. Manasse, R. Panigrahy |data= giugno 2008 |editore=[[Microsoft]] |accesso=2 giugno 2010}}</ref>
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| Utilizzo dell'MLC NAND in modalità SLC
| Scrive dati ad un rateo di un bit per cella invece del previsto numero di bit per cella (normalmente due bit per cella) per velocizzare le operazioni di lettura e scrittura. Quando ci si avvicina ai limiti di capienza del NAND in modalità SLC (''single-level cell''), l'SSD dovrà riscrivere le informazioni più vecchie (scritte in modalità SLC) in modalità MLC (''multi-level cell'') o TLC (''triple-level cell'') per consentire che lo spazio in modalità SLC NAND sia liberato al fine di accogliere in numero maggiore di informazioni. In ogni caso questo approccio può ridurre l'usura mantenendo le pagine che cambiano frequentemente in modalità SLC, per evitare di programmare questi cambiamenti in modalità MLC o TLC, poiché scrivere in MLC o TLC provocano un'usura maggiore che farlo in SLC. Quindi, questo approccio aumenta la write amplification ma potrebbe ridurre il deperimento quando le operazioni di scrittura hanno come obiettivo pagine sovrascritte frequentemente. <!-- da tradurre
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: LightCoral;" | Negativo
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== Garbage collection ==
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[[File:Garbage Collection.png|thumb|upright=1.5|Le pagine sono scritte nei blocchi fino a quando non vengono riempiti. Poi le pagine con le informazioni attuali sono spostate in nuovi blocchi e quelli precedenti vengono cancellati<ref name="IBM_WA" />]]
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== Note ==
<references />
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