Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni
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In questo tipo di drogaggio i wafer di silicio vengono portati a temperature maggiori di 1000°C per attivare la diffusione del drogante nel silicio stesso.
Raggiuta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del [[coefficiente di diffusione]] e per bloccare così l'omonimo processo.
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