Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni

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La '''diffusione termica''' è un processo di [[drogaggio]] nel quale i wafer di [[silicio]] vengono portati a temperature superiori a 1000°C per attivare la diffusione del [[drogante]] nel silicio stesso.

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La diffusione termica è un processo di [[drogaggio]] nel quale i wafer di silicio vengono portati a temperature superiori a 1000°C per attivare la diffusione del drogante nel silicio stesso.

Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del [[coefficiente di diffusione]] e per bloccare così l'omonimo processo.

Il processo diffusivo si articola fondamentalmente in tre fasi:

1)# apertura di una finestra sulla zona della matrice cristallina da trattare (questa fase è necessaria in quanto la matrice cristallina di silicio viene protetta con uno strato di [[ossido di silicio]] SiO₂ che risulta essere impermeabile agli agenti droganti);

2)# predeposizione (usulamenteusualmente abbreviata in predep), cioè introduzione della dose desiderata di drogante, dove la dose, essendo l'integrale della concentrazione di drogante, è il numero di atomi di drogante per cm²;

3)# dry-in, che consiste nel bloccaggio della dose e nel lasciare che il drogante diffonda più in profondità, dato che un difetto della predeposizione è proprio quello di far accumulare il drogante troppo vicino all'interfaccia tra la matrice cristallina del silicio e l'atmosfera o, ugualmente, lo strato solido, ricca di droganti.

[[Categoria:Elettronica]]