Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni
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== Struttura ==
Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'', isolato elettricamente da due strati di SiO<sub>2</sub>, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO<sub>2</sub> che separa il FG dal substrato deve esseresufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal ''Control Gate'' deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo.
Vi sono numeriose varianti di questo schema, tra le quali alcune presentano l'aggiunta di più terminali di ''gate'' per transistor al fine di poter memorizzare più di un bit di informazione. Il processo di inziezione delle cariche, in particolare, modifica la struttura del dispositivo. L'inziezione per i dispositivi a canale ''n'' può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]] o per [[effetto tunnel]]: nel primo caso l'ossido di gate deve essere più spesso.
== Note==
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