Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni

Versione delle 22:50, 7 dic 2010

Versione delle 14:05, 12 dic 2010

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In [[elettronica]], il '''Floating Gate MOSFET''', spesso abbreviato con l'acronimo '''FGMOS''', è un [[transistor ad effetto di campo]] la cui struttura è simile a quella di un [[MOSFET]].<br>

Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di ''gate'', detto ''Floating Gate'', situato tra il substrato ed il ''Control Gate'' e separato da essi dal [[silice|biossido di silicio]] SiO₂. Questa struttura è un [[condensatore]], ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella [[memoria (informatica)|memoria]] in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie [[EPROM]], [[EEPROM]] e [[memoria Flash|flash]].

Nei FGMOS a canale ''n'' l'inziezione di carica può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]], come nel caso delle memoria Flash, o per [[effetto tunnel]], come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale ''p'' si usa il fenomeno di [[breakdown a valanga]], utilizzato nella programmazione delle EPROM.

==Storia==

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== Struttura ==

Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'', isolato elettricamente da due strati di SiO₂, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO₂ che separa il FG dal substrato deve esseresufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal ''Control Gate'' deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo.

Vi sono numeriose varianti di questo schema, tra le quali alcune presentano l'aggiunta di più terminali di ''gate'' per transistor al fine di poter memorizzare più di un bit di informazione. Il processo di inziezione delle cariche, in particolare, modifica la struttura del dispositivo. L'inziezione per i dispositivi a canale ''n'' può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]] o per [[effetto tunnel]]: nel primo caso l'ossido di gate deve essere più spesso.

== Note==