Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni
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In [[elettronica]], il '''Floating Gate MOSFET''', spesso abbreviato con l'acronimo '''FGMOS''', è un [[transistor ad effetto di campo]] la cui struttura è simile a quella di un [[MOSFET]].<br>
Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di ''gate'', detto ''Floating Gate'', situato tra il substrato ed il ''Control Gate'' e separato da essi dal [[silice|biossido di silicio]] SiO<sub>2</sub>. Questa struttura è un [[condensatore (elettrotecnica)|condensatore]], ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella [[memoria (informatica)|memoria]] in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie [[EPROM]], [[EEPROM]] e [[memoria Flash|flash]].
Nei FGMOS a canale ''n'' l'inziezione di carica può avvenire in due modi, per [[hot carriers injection]], come nel caso delle memoria Flash, o per [[effetto tunnel]], come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale ''p'' si usa il fenomeno di [[breakdown a valanga]], utilizzato nella programmazione delle EPROM.
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