Gate turn-off: differenze tra le versioni

Versione delle 15:58, 27 mag 2011

Versione delle 14:05, 28 mag 2011

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Durante l'innesco del GTO la velocità di variazione della corrente (espressa dalla sua derivata rispetto al tempo ''di/dt'') deve essere mantenuta al di sotto di un valore limite, dipendente dalle caratteristiche fisiche del dispositivo. In questo modo l'intera parte attiva del GTO può portarsi nella condizione di conduzione prima che venga raggiunto il valore nominale della corrente di carico. Se, viceversa, il rapporto ''di/dt'' venisse superato, l'area del dispositivo più vicina ai contatti di ''gate'' si surriscalderebbe e fonderebbe a causa della densità di corrente eccessiva.<br />

Il rapporto ''di/dt'' viene di solito controllato con l'utilizzo di un [[reattore saturabileinduttore]] a nucleo saturabile. {{chiarire|IlLa resetpresenza deldell'induttore reattoreimpone saturabileche l'intervallo di solitotempo comportatra unalo richiestaspegnimento die la successiva riaccensione del GTO debba essere maggiore o uguale a un "tempo minimo di spegnimentoOFF" minimonecessario neiper circuitismaltire basatil'energia sumagnetica GTOaccumulata nell'induttore, riportandolo così nelle condizioni iniziali.}}

Durante lo spegnimento la tensione positiva del dispositivo deve essere limitata fino a che la corrente non si annulli. Il limite è di solito intorno al 20% del tasso di tensione bloccante. Se la tensione aumenta troppo velocemente durante il disinnesco, non tutto il dispositivo si disattiverà e il GTO si danneggerà, spesso in maniera esplosiva, a causa dell'alta tensione e della corrente concentrata in una piccola porzione del dispositivo. Dei circuiti [[snubber]] vengono inseriti intorno al dispositivo per limitare l'aumento di tensione al disinnesco. {{chiarire|Il reset dei circuiti snubber di solito comporta una richiesta di tempo di spegnimento minimo nei circuiti basati su GTO.}}