Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni

Versione delle 16:35, 7 giu 2011

Versione delle 12:10, 26 set 2011

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== Struttura ==

Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'', isolato elettricamente da due strati di SiO₂, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO₂ che separa il FG dal substrato deve esseresufficientementeessere sufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal ''Control Gate'' deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo.

Vi sono numeriosenumerose varianti di questo schema, tra le quali alcune presentano l'aggiunta di più terminali di ''gate'' per transistor al fine di poter memorizzare più di un bit di informazione. Il processo di inziezione delle cariche, in particolare, modifica la struttura del dispositivo.

== Note==